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| 第4讲：SiC的物理特性 SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强 https://news.ca168.com/202408/133969.html 2024-08-21 |
| 新品 | CoolSiC™ MOSFET 1.9mΩ，2.5mΩ 3.3kV XHP™ 2半桥模块 XHP 2 CoolSiC MOSFET 3.3kV集成体二极管、XHP 2封装，采用.XT互联技术产品型号：■FF2000UXTR33T2M1 1.9mΩ 3.3kV■FF260 https://news.ca168.com/202408/133929.html 2024-08-19 |
| 第3讲：SiC的晶体结构 半导体SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化学计量比组成的晶体，属于化合物半导体的一种。硅和碳都是IV族元素，每个原子都有4个共 https://news.ca168.com/202408/133705.html 2024-08-07 |
| SiC大厂宣布，将量产8英寸 Onsemi 计划于今年晚些时候推出 200 毫米（8 英寸）碳化硅晶圆，并于 2025 年投入生产。安森美半导体营收为 17.35 亿美元，较去 https://news.ca168.com/202408/133681.html 2024-08-06 |
| 把SiC价格打下来！两年内拟降30%，市场加速渗透 作为第三代半导体，SiC（碳化硅）相比传统硅在高耐压厚度、功率损耗、系统效率等方面具有显著优势。依靠这些优势，SiC在新能源汽 https://news.ca168.com/202408/133661.html 2024-08-05 |
| 三安1700V/1Ω SiC MOSFET的高压辅源应用 随着光伏发电系统、能源存储、电车充电、电机驱动等市场需求的快速增加，该领域所用高压辅助电源的性能要求及需求量也在不断提升 https://news.ca168.com/202407/133592.html 2024-07-29 |
| 可扩展的测试系统 | 在极端dV/dt条件下评估多款SiC MOSFET AOS开发了一种可扩展的测试系统，用于在极端dV/dt条件下评估碳化硅（SiC）MOSFET在连续工作模式下的稳定性。半桥式测试系统能够 https://news.ca168.com/202407/133591.html 2024-07-29 |
| 并联SiC MOSFET的均流研究 并联SiC MOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiC MOSFET分流影响的理 https://news.ca168.com/202407/133553.html 2024-07-25 |
| 第2讲：三菱电机SiC器件发展史 三菱电机从上世纪90年代已经开始启动SiC相关的研发工作。最初阶段，SiC晶体的品质并不理想，适合SiC的器件结构和制造工艺仍处于 https://news.ca168.com/202407/133529.html 2024-07-24 |
| 安森美与大众汽车签署SiC多年合作协议 7月23日安森美官微发布：近日，安森美宣布与大众汽车集团签署了一项多年协议，成为其可扩展系统平台（SSP）下一代主驱逆变器的主 https://news.ca168.com/202407/133496.html 2024-07-23 |