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| 产能增加3倍！SiC衬底大厂宣布扩产 7月5日，据外媒报道，罗姆子公司SiCrystal GmbH将在德国纽伦堡东北部现有厂址的正对面新建一座生产厂房。新厂房将增加6000平方米 https://news.ca168.com/202407/133198.html 2024-07-09 |
| 在混合电源设计上，Si、SiC、GaN如何各司其职？ 今年5月英飞凌公布了专为AI数据中心设计的PSU（电源供应单元）路线图，在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上，都混合采用了硅、氮化镓 https://news.ca168.com/202407/133156.html 2024-07-08 |
| 开关损耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN开始进军光储、家电市场 随着以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料被推出以后，因其优秀的特性，迅速在多种电力电子设备中应用。目前来看，GaN已经在快充等 https://news.ca168.com/202407/133114.html 2024-07-04 |
| SiCer小课堂 | 显著提升充电效率，基本半导体应用于高压快充的E2B碳化硅功率模块方案解析 摘 要 充电桩采用碳化硅模块可以增加近30%的输出功率，减少50%的损耗。目前在充电桩领域，碳化硅应用处于快速增长阶段， https://news.ca168.com/202407/133115.html 2024-07-04 |
| 适用于最高3300V的SiC模块多并联门极驱动器 第三代宽禁带半导体SiC MOSFET越来越广泛的运用于工业领域，相比于普通的 Si 半导体功率器件，其具有耐高温，耐高压，低损耗和高 https://news.ca168.com/202407/133100.html 2024-07-03 |
| 三安 第五代 1200V SiC SBD 高效、小型化与高浪涌的优选 在高功率应用中，碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）相比于硅基器件，具有更加耐高压、耐高温和没有反向恢复电荷等优势。三安半 https://news.ca168.com/202406/132981.html 2024-06-27 |
| 8英寸SiC单晶材料：三安半导体引领xEV技术前沿 在全球新能源汽车行业的蓬勃发展中，电驱动系统及SIC功率半导体市场迎来了前所未有的发展机遇。2024年第四届全球xEV驱动系统技术 https://news.ca168.com/202406/132951.html 2024-06-26 |
| 让SiC成本再降10%的新技术 日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体尖端材料「碳化硅（SiC）」基板的新制造技术。artience（原日本东洋油墨S https://news.ca168.com/202406/132948.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微 随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这 https://news.ca168.com/202406/132960.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 【2024年6月25日，德国慕尼黑讯】随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定 https://news.ca168.com/202406/132939.html 2024-06-26 |