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| 第8讲：SiC外延生长技术 SiC外延生长技术是SiC功率器件制备的核心技术之一，外延质量直接影响SiC器件的性能。目前应用较多的SiC外延生长方法是化学气相沉 https://news.ca168.com/202410/134694.html 2024-10-24 |
| 英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000 V， 直流母线电压最高可达1500 VDC， 效率更高，设计更简单 【2024年10月23日, 德国慕尼黑讯】如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过 https://news.ca168.com/202410/134670.html 2024-10-24 |
| SICK 荣获 EcoVadis 铂金奖章：企业社会责任最高评级 SICK 的可持续发展管理位列全球前 1 %传感器自动化解决方案的国际供应商SICK荣获2024年度EcoVadis可持续发展评级中的铂金奖，在 https://news.ca168.com/202410/134629.html 2024-10-21 |
| 第7讲：SiC单晶衬底加工技术 SiC单晶是一种硬而脆的材料，切片加工难度大，磨削精度要求高，因此晶圆制造是一个长时间且难度较高的过程。本文介绍了几种SiC单 https://news.ca168.com/202410/134519.html 2024-10-10 |
| 【报名倒计时3天】10月16日，三菱电机SiC技术日完整日程预览！ 作为在功率半导体和电力电子技术领域的创新者，三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史，从基础研究、应用研究到批 https://news.ca168.com/202410/134498.html 2024-10-09 |
| SiC，100亿美元的市场 据Yole预计，到 2029 年，SiC 器件市场价值将达到近 100 亿美元，2023 年至 2029 年的复合年增长率为 24%。汽车和移动性（主要是 https://news.ca168.com/202409/134285.html 2024-09-12 |
| 新闻 | 罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型 ～应用于主机逆变器，有助于延长续航里程，提升性能～ 日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的 https://news.ca168.com/202409/134190.html 2024-09-05 |
| 芯联集成：上半年营收增长14.27%，预计SiC业务全年贡献近10亿 与2023年相比，大多数芯片厂商都能在今年实现减亏，开始逆势上涨。芯联集成在今年上半年实现营收28.80亿元，同比增长14.27%；实 https://news.ca168.com/202409/134193.html 2024-09-05 |
| 第5讲：SiC的晶体缺陷 在SiC晶体中存在各种缺陷，其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及 https://news.ca168.com/202409/134172.html 2024-09-04 |
| 资讯 | 支持PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开始提供支持电力电子仿真工具PSIM的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Alta https://news.ca168.com/202408/133973.html 2024-08-22 |