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| 第22讲：SiC MOSFET模块的并联-动态均流 在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章 https://news.ca168.com/202510/140865.html 2025-10-14 |
| SICK SRM50-HWZO-S01(7-12DV) SICK SRM50-HWZO-S01(7-12DV)是一款高精度、高可靠性的伺服编码器，适用于工业自动化高动态场景。其核心优势在于HIPERFACE接口、多圈绝对位置测量及IP65防护等级。 https://news.ca168.com/202510/140820.html 2025-10-13 |
| 第21讲：SiC MOSFET的并联-静态均流 第21讲：SiC MOSFET的并联-静态均流通过并联SiC MOSFET功率器件，可以获得更高输出电流，满足更大功率系统的要求。本章节主要介 https://news.ca168.com/202510/140815.html 2025-10-13 |
| ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度 中国上海，2025年9月22日全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出二合一结构的SiC模块DOT-247，该产品 https://news.ca168.com/202509/140694.html 2025-09-29 |
| 罗姆与英飞凌携手推进SiC功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度 中国上海，2025年9月25日全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比 https://news.ca168.com/202509/140691.html 2025-09-29 |
| 英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性， 为客户带来更高灵活度 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持未来，客户可在英飞凌与罗姆各 https://news.ca168.com/202509/140658.html 2025-09-26 |
| 第20讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（2） 栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大 https://news.ca168.com/202509/140586.html 2025-09-18 |
| 第19讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（1） 下面以采用光耦隔离的基本栅极驱动电路（图1）为例来说明。 https://news.ca168.com/202509/140585.html 2025-09-18 |
| 第18讲：SiC MOSFET的动态特性 SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加 https://news.ca168.com/202509/140584.html 2025-09-18 |
| 第17讲：SiC MOSFET的静态特性 图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低 https://news.ca168.com/202509/140583.html 2025-09-18 |