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| 英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度 【2025年10月17日, 德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场 https://news.ca168.com/202510/140966.html 2025-10-17 |
| 第24讲：SiC DIPIPM在变频家电中的应用（1） 三菱电机于1997年将DIPIPM正式推向市场，迄今已在家电、工业和汽车空调等领域获得了广泛应用。在Si-IGBT DIPIPM基础上，三菱电机 https://news.ca168.com/202510/140968.html 2025-10-17 |
| 第23讲：SiC MOSFET模块的损耗计算 为了安全使用SiC模块，需要计算工作条件下的功率损耗和结温，并在额定值范围内使用。MOSFET损耗计算与IGBT既有相似之处，也有不 https://news.ca168.com/202510/140866.html 2025-10-14 |
| 第22讲：SiC MOSFET模块的并联-动态均流 在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章 https://news.ca168.com/202510/140865.html 2025-10-14 |
| SICK SRM50-HWZO-S01(7-12DV) SICK SRM50-HWZO-S01(7-12DV)是一款高精度、高可靠性的伺服编码器，适用于工业自动化高动态场景。其核心优势在于HIPERFACE接口、多圈绝对位置测量及IP65防护等级。 https://news.ca168.com/202510/140820.html 2025-10-13 |
| 第21讲：SiC MOSFET的并联-静态均流 第21讲：SiC MOSFET的并联-静态均流通过并联SiC MOSFET功率器件，可以获得更高输出电流，满足更大功率系统的要求。本章节主要介 https://news.ca168.com/202510/140815.html 2025-10-13 |
| ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度 中国上海，2025年9月22日全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出二合一结构的SiC模块DOT-247，该产品 https://news.ca168.com/202509/140694.html 2025-09-29 |
| 罗姆与英飞凌携手推进SiC功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度 中国上海，2025年9月25日全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比 https://news.ca168.com/202509/140691.html 2025-09-29 |
| 英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性， 为客户带来更高灵活度 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持未来，客户可在英飞凌与罗姆各 https://news.ca168.com/202509/140658.html 2025-09-26 |
| 第20讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（2） 栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大 https://news.ca168.com/202509/140586.html 2025-09-18 |