找到相关信息约517条搜索结果
| 第16讲：SiC SBD的特性 SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而 https://news.ca168.com/202509/140582.html 2025-09-18 |
| 搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产 中国上海，2025年9月10日全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团（总部位于德国 https://news.ca168.com/202509/140438.html 2025-09-10 |
| 第15讲：高压SiC模块封装技术 为了实现低碳社会，能够高效电能变换的电力电子技术正在扩展到消费、工业、电气化铁路、汽车、太阳能发电和风力发电等各个领 https://news.ca168.com/202509/140369.html 2025-09-06 |
| 第14讲：工业用NX封装全SiC功率模块 https://news.ca168.com/202509/140368.html 2025-09-06 |
| 第13讲：超小型全SiC DIPIPM 三菱电机从1997年开始将DIPIPM产品化，广泛应用于空调、洗衣机、冰箱等白色家用电器，以及通用变频器、机器人等工业设备。本 https://news.ca168.com/202509/140367.html 2025-09-06 |
| 第12讲：三菱电机高压SiC芯片技术 通过使用SiC，可实现额定电压3.3kV以上的高耐压MOSFET。由于MOSFET是单极性器件，少数载流子不会积聚，所以能够实现极低的开 https://news.ca168.com/202509/140366.html 2025-09-06 |
| 第11讲：三菱电机工业SiC芯片技术 截至2024年，三菱电机已量产第二代平面栅SiC MOSFET芯片，并配套于各种模块实现产品化。图1显示了第二代平面栅SiC MOSFET的 https://news.ca168.com/202509/140364.html 2025-09-05 |
| 第10讲：SiC的加工工艺（2）栅极绝缘层 SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFE https://news.ca168.com/202509/140306.html 2025-09-04 |
| 第9讲：SiC的加工工艺（1）离子注入 SiC的杂质原子扩散系数非常小，因此无法利用热扩散工艺制造施主和受主等掺杂原子的器件结构（形成pn结）。因此，SiC器件的制造采 https://news.ca168.com/202509/140271.html 2025-09-03 |
| 第8讲：SiC外延生长技术 SiC有多种稳定的晶体多型（polytype）。因此，为了使获得的外延生长层能够继承SiC衬底的特定晶体多型，需要将衬底的原子三维排列 https://news.ca168.com/202509/140270.html 2025-09-03 |