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| 英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性， 为客户带来更高灵活度 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持未来，客户可在英飞凌与罗姆各 https://news.ca168.com/202509/140658.html 2025-09-26 |
| 第20讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（2） 栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大 https://news.ca168.com/202509/140586.html 2025-09-18 |
| 第19讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（1） 下面以采用光耦隔离的基本栅极驱动电路（图1）为例来说明。 https://news.ca168.com/202509/140585.html 2025-09-18 |
| 第18讲：SiC MOSFET的动态特性 SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加 https://news.ca168.com/202509/140584.html 2025-09-18 |
| 第17讲：SiC MOSFET的静态特性 图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低 https://news.ca168.com/202509/140583.html 2025-09-18 |
| 第16讲：SiC SBD的特性 SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而 https://news.ca168.com/202509/140582.html 2025-09-18 |
| 搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产 中国上海，2025年9月10日全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团（总部位于德国 https://news.ca168.com/202509/140438.html 2025-09-10 |
| 第15讲：高压SiC模块封装技术 为了实现低碳社会，能够高效电能变换的电力电子技术正在扩展到消费、工业、电气化铁路、汽车、太阳能发电和风力发电等各个领 https://news.ca168.com/202509/140369.html 2025-09-06 |
| 第14讲：工业用NX封装全SiC功率模块 https://news.ca168.com/202509/140368.html 2025-09-06 |
| 第13讲：超小型全SiC DIPIPM 三菱电机从1997年开始将DIPIPM产品化，广泛应用于空调、洗衣机、冰箱等白色家用电器，以及通用变频器、机器人等工业设备。本 https://news.ca168.com/202509/140367.html 2025-09-06 |