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| 作为汽车行业首款8发8收成像雷达MMIC,英飞凌RASIC™ CTRX8188F实现量产,加速中央式架构雷达的发展 【2026年7月14日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNN https://news.ca168.com/202607/143765.html 2026-07-14 |
| MPS推出1700V SiC反激控制器HF1070,为高压辅助电源带来高效新方案 MPS芯源系统近日推出新一代高压离线电源解决方案HF1070。该器件是一款高度集成的连续导通模式(CCM)/准谐振(QR)反激式稳压控 https://news.ca168.com/202607/143705.html 2026-07-08 |
| 碳化硅 (SiC) MOSFET 深度技术白皮书:从材料物理到系统应用全解析 在当今能源转型的宏观背景下,电力电子技术正经历着自硅晶体管发明以来最深刻的变革,随着电动汽车(EV)、可再生能源发电、超大规 https://news.ca168.com/202607/143648.html 2026-07-02 |
| 英飞凌扩展750V CoolSiC™产品组合,推出顶部散热H-DPAK 进一步提升系统功率密度与可靠性 【2026 年 6 月 16 日,德国慕尼黑讯】汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进,对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要 https://news.ca168.com/202606/143571.html 2026-06-16 |
| 英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的双向开关碳化硅 【2026年6月15日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNN https://news.ca168.com/202606/143556.html 2026-06-15 |
| PCIM深圳研讨会 | 四大Keynote集结浙大、英飞凌、香港微电子研究院、比亚迪,聚焦 AI 供电、车载逆变、SiC 封装与超充技术 作为大会核心重磅环节,PCIM Asia Shenzhen 国际研讨会2026 四大主题报告Keynote正式揭晓!本次特邀来自浙江大学、英飞凌科技、 https://news.ca168.com/202606/143510.html 2026-06-08 |
| 三菱电机将开始提供第5代SiC MOSFET裸芯片样品 沟槽栅型SiC MOSFET晶圆 | 沟槽栅型SiC MOSFET裸芯片布局(样品渲染图)三菱电机集团于2026年6月4日宣布,将于同年6月下旬起陆续 https://news.ca168.com/202606/143508.html 2026-06-08 |
| 英飞凌推出业界首款面向AI 数据中心HVDC架构的 24 kW基于碳化硅(SiC)的电池备份单元(BBU)参考设计 【2026年6月8日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出一款 24 kW 电池备份单元(BBU https://news.ca168.com/202606/143507.html 2026-06-08 |
| 英飞凌扩展CoolSiC™ JFET产品组合,推出面向AI数据中心和工业级应用的常关型器件 【2026年6月8日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正持续扩展其 CoolSiC JFET 产品组合, https://news.ca168.com/202606/143506.html 2026-06-08 |
| 罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元 中国上海,2026年5月21日全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电 https://news.ca168.com/202605/143373.html 2026-05-26 |


