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| 第10讲：SiC的加工工艺（2）栅极绝缘层 SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFE https://news.ca168.com/202509/140306.html 2025-09-04 |
| 第9讲：SiC的加工工艺（1）离子注入 SiC的杂质原子扩散系数非常小，因此无法利用热扩散工艺制造施主和受主等掺杂原子的器件结构（形成pn结）。因此，SiC器件的制造采 https://news.ca168.com/202509/140271.html 2025-09-03 |
| 第8讲：SiC外延生长技术 SiC有多种稳定的晶体多型（polytype）。因此，为了使获得的外延生长层能够继承SiC衬底的特定晶体多型，需要将衬底的原子三维排列 https://news.ca168.com/202509/140270.html 2025-09-03 |
| 第7讲：SiC单晶衬底加工技术 将通过升华法制备的SiC单晶从坩埚中取出，经过多个加工工艺制成晶圆。图1展示了晶圆制造的大致工艺流程。SiC单晶（也称为SiC b https://news.ca168.com/202509/140269.html 2025-09-03 |
| 第6讲：SiC单晶生长技术 在常压下，不存在Si:C化学计量比等于1:1的液相SiC。因此，通常用于硅晶体生长的以融液作为原料的方法不能用于SiC块状晶体生长， https://news.ca168.com/202509/140228.html 2025-09-01 |
| 第5讲：SiC的晶体缺陷 第5讲：SiC的晶体缺陷 https://news.ca168.com/202509/140221.html 2025-09-01 |
| 第4讲：SiC的物理特性 第4讲：SiC的物理特性 https://news.ca168.com/202509/140218.html 2025-09-01 |
| 赛米控丹佛斯推出集成罗姆2kV SiC MOSFETs的模块，助力SMA光伏方案 2025年5月12日 https://news.ca168.com/202508/140191.html 2025-08-29 |
| 第3讲：SiC的晶体结构 https://news.ca168.com/202508/140138.html 2025-08-27 |
| 第2讲：三菱电机SiC器件发展史 https://news.ca168.com/202508/140137.html 2025-08-27 |