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| 第7讲：SiC单晶衬底加工技术 将通过升华法制备的SiC单晶从坩埚中取出，经过多个加工工艺制成晶圆。图1展示了晶圆制造的大致工艺流程。SiC单晶（也称为SiC b https://news.ca168.com/202509/140269.html 2025-09-03 |
| 第6讲：SiC单晶生长技术 在常压下，不存在Si:C化学计量比等于1:1的液相SiC。因此，通常用于硅晶体生长的以融液作为原料的方法不能用于SiC块状晶体生长， https://news.ca168.com/202509/140228.html 2025-09-01 |
| 第5讲：SiC的晶体缺陷 第5讲：SiC的晶体缺陷 https://news.ca168.com/202509/140221.html 2025-09-01 |
| 第4讲：SiC的物理特性 第4讲：SiC的物理特性 https://news.ca168.com/202509/140218.html 2025-09-01 |
| 赛米控丹佛斯推出集成罗姆2kV SiC MOSFETs的模块，助力SMA光伏方案 2025年5月12日 https://news.ca168.com/202508/140191.html 2025-08-29 |
| 第3讲：SiC的晶体结构 https://news.ca168.com/202508/140138.html 2025-08-27 |
| 第2讲：三菱电机SiC器件发展史 https://news.ca168.com/202508/140137.html 2025-08-27 |
| 三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用（2） 随着市场需求的不断增长，SiC MOSFET在电动汽车中的应用日益广泛，已经成为推动电动汽车电气化和高效能的重要技术之一。上一篇我 https://news.ca168.com/202508/139993.html 2025-08-19 |
| 安森美和舍弗勒扩大合作，推出基于EliteSiC的 新型插电式混合动力汽车平台 中国上海 - 2025年7月 28日--安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)宣布扩大与领先的驱动技术公司舍弗勒（Schaeffler）合作 https://news.ca168.com/202508/139716.html 2025-08-06 |
| 英飞凌推出采用 Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2，将工业应用功率密度提升至新高度 【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY https://news.ca168.com/202508/139635.html 2025-08-01 |