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| 可扩展的测试系统 | 在极端dV/dt条件下评估多款SiC MOSFET AOS开发了一种可扩展的测试系统，用于在极端dV/dt条件下评估碳化硅（SiC）MOSFET在连续工作模式下的稳定性。半桥式测试系统能够 https://news.ca168.com/202407/133591.html 2024-07-29 |
| 并联SiC MOSFET的均流研究 并联SiC MOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiC MOSFET分流影响的理 https://news.ca168.com/202407/133553.html 2024-07-25 |
| 安森美与大众汽车签署SiC多年合作协议 7月23日安森美官微发布：近日，安森美宣布与大众汽车集团签署了一项多年协议，成为其可扩展系统平台（SSP）下一代主驱逆变器的主 https://news.ca168.com/202407/133496.html 2024-07-23 |
| SiC风口正劲，射频巨头Qorvo乘势而上 SiC领域正在迎来群雄逐鹿的新时代，而射频芯片巨头Qorvo亦在电源应用领域耕耘多年，已占据自己的一席之地。在电气化、数据化、可 https://news.ca168.com/202407/133357.html 2024-07-16 |
| SiC和GaN市场，正在被重塑 据Yole统计，多家 SiC 厂商宣布了未来几年扩大产能以满足终端系统（尤其是汽车）需求的计划。意法半导体、安森美、英飞凌、Wolf https://news.ca168.com/202407/133288.html 2024-07-12 |
| CoolSiC™ MOSFET Gen2助力英飞凌革新碳化硅市场 英飞凌凭借CoolSiC MOSFET Gen2技术，再度突破极限，实现更高效率、更低功耗，这也使英飞凌在日益发展且竞争激烈的碳化硅市场， https://news.ca168.com/202407/133262.html 2024-07-11 |
| 产能增加3倍！SiC衬底大厂宣布扩产 7月5日，据外媒报道，罗姆子公司SiCrystal GmbH将在德国纽伦堡东北部现有厂址的正对面新建一座生产厂房。新厂房将增加6000平方米 https://news.ca168.com/202407/133198.html 2024-07-09 |
| 在混合电源设计上，Si、SiC、GaN如何各司其职？ 今年5月英飞凌公布了专为AI数据中心设计的PSU（电源供应单元）路线图，在3.3kW、8kW、12kW的PSU方案上，都混合采用了硅、氮化镓 https://news.ca168.com/202407/133156.html 2024-07-08 |
| 开关损耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN开始进军光储、家电市场 随着以SiC、GaN为主的宽禁带半导体材料被推出以后，因其优秀的特性，迅速在多种电力电子设备中应用。目前来看，GaN已经在快充等 https://news.ca168.com/202407/133114.html 2024-07-04 |
| SiCer小课堂 | 显著提升充电效率，基本半导体应用于高压快充的E2B碳化硅功率模块方案解析 摘 要 充电桩采用碳化硅模块可以增加近30%的输出功率，减少50%的损耗。目前在充电桩领域，碳化硅应用处于快速增长阶段， https://news.ca168.com/202407/133115.html 2024-07-04 |