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| 让SiC成本再降10%的新技术 日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体尖端材料「碳化硅（SiC）」基板的新制造技术。artience（原日本东洋油墨S https://news.ca168.com/202406/132948.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微 随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这 https://news.ca168.com/202406/132960.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 【2024年6月25日，德国慕尼黑讯】随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定 https://news.ca168.com/202406/132939.html 2024-06-26 |
| 瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产 近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称瞻芯电子）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩSiC MOSFET产品（IV3Q12013T4 https://news.ca168.com/202406/132901.html 2024-06-24 |
| 增资20亿美元，SiC功率器件龙头扩产！ 为满足SiC功率器件不断增长的市场需求、提升企业竞争力，各大SiC功率器件厂商在投资扩产方面动作频频。作为头部玩家，onsemi（安 https://news.ca168.com/202406/132869.html 2024-06-20 |
| 120亿！士兰微8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工 据厦门广电网消息，6月18日上午，士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线在海沧区开工。source：士兰微该项目总投资120亿元，分 https://news.ca168.com/202406/132850.html 2024-06-19 |
| 这项技术，将大幅降低SiC/GaN成本 日本旭化成在功率半导体等用的氮化铝基板方面，成功将可使用面积扩大至以往量产产品的4.5倍。采用直径4英吋(约100毫米)的基板， https://news.ca168.com/202406/132764.html 2024-06-14 |
| 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度 【2024年6月13日，德国慕尼黑讯】在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。 https://news.ca168.com/202406/132744.html 2024-06-13 |
| ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™” 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块TR https://news.ca168.com/202406/132716.html 2024-06-12 |
| 三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块 Unifull 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块三菱电机集团近日（2024年6月10日）宣布，从6月10日起开始为包括铁路和电力系统在内的大 https://news.ca168.com/202406/132709.html 2024-06-12 |