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| 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电 3月19日，英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功 https://news.ca168.com/202403/131105.html 2024-03-20 |
| 国产SiC衬底的突围之战 2024年2月27日，由重投天科建设运营的第三代半导体材料产业园在宝安区正式启用，此举标志着深圳乃至广东省第三代半导体产业 https://news.ca168.com/202403/131092.html 2024-03-20 |
| 投资超50亿！这一8英寸SiC工厂将于4月开建 据日经网消息，三菱电机将于4月开始在熊本县菊池市建设新SiC厂房。 三菱电机将投资约1,000亿日元（折合人民币约48.56亿元 https://news.ca168.com/202403/131058.html 2024-03-19 |
| 瑞森半导体在SiC MOS/HV MOS在电焊机上的应用 一、前言 电焊机是指为焊接提供一定特性的电源的电器，其工作原理：在接触到焊接物与被焊接物时，发生短路，短路产生高温 https://news.ca168.com/202403/131011.html 2024-03-15 |
| 英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展 【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET https://news.ca168.com/202403/130968.html 2024-03-14 |
| 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度 【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新C https://news.ca168.com/202403/130936.html 2024-03-14 |
| 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/ OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新 https://news.ca168.com/202403/130893.html 2024-03-12 |
| 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统 【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅 https://news.ca168.com/202403/130881.html 2024-03-12 |
| 东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块 3月6日，东芝电子元件及存储装置株式会社（下文简称东芝）宣布，公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅（SiC）1700 V、 https://news.ca168.com/202403/130876.html 2024-03-11 |
| 新品 | 3.3 kV XIFM即插即用mSiC栅极驱动器扩展mSiC™解决方案，加快高压SiC功率模块采用 万物电气化正在推动碳化硅（SiC）技术在交通、电网和重型车辆等中高压应用中的广泛采用。为了帮助开发人员实施SiC解决方案并快速 https://news.ca168.com/202402/130591.html 2024-02-23 |