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| 三菱电机将开始提供第5代SiC MOSFET裸芯片样品 沟槽栅型SiC MOSFET晶圆 | 沟槽栅型SiC MOSFET裸芯片布局（样品渲染图）三菱电机集团于2026年6月4日宣布，将于同年6月下旬起陆续 https://news.ca168.com/202606/143508.html 2026-06-08 |
| 罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元 中国上海，2026年5月21日全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电 https://news.ca168.com/202605/143373.html 2026-05-26 |
| ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！ 4月21日全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）宣布，开发出新一代EcoSiC第5代SiC MOSFET，该产品非常适用于xEV（电动 https://news.ca168.com/202604/143057.html 2026-04-23 |
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| 麦米电气采用英飞凌CoolMOS™ 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器 【2026年3月25日, 中国上海讯】中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其 https://news.ca168.com/202603/142778.html 2026-03-25 |
| 新品 | CoolSiC™ MOSFET M1H共源配置62mm模块 新品 | CoolSiC MOSFET M1H共源配置62mm模块 https://news.ca168.com/202603/142763.html 2026-03-24 |
| 新品 | 采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展 新品 | 采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC G2 1200V MOSFET 产品扩展 https://news.ca168.com/202603/142761.html 2026-03-24 |
| Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率 美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海2026年3月17日 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出 https://news.ca168.com/202603/142615.html 2026-03-17 |
| 【新品】三菱电机开始提供4款用于功率器件的全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片样品 沟槽型SiC-MOSFET晶圆（左）沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片（右）三菱电机集团于今日（2026年1月14日）宣布，将于1月21日开始提供4款 https://news.ca168.com/202601/142010.html 2026-01-14 |
| 英飞凌拓展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装 【2026年1月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN https://news.ca168.com/202601/141977.html 2026-01-12 |