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| Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET®Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。 https://news.ca168.com/201309/25025.html 2013-09-05 |
| Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 首款40V P沟道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET https://news.ca168.com/201307/23183.html 2013-07-15 |
| Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 MALVERN - 2013 年 7 月12 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201307/23135.html 2013-07-12 |
| Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道 功率MOSFET家族 2013 年 6 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性 https://news.ca168.com/201306/21470.html 2013-06-04 |
| Vishay Siliconix发布用于功率MOSFET的免费在线仿真工具 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 3 月5 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。 https://news.ca168.com/201303/18134.html 2013-03-06 |
| Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET®功率MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT?封装。 https://news.ca168.com/201301/16504.html 2013-01-14 |
| Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封装的功率MOSFET 新款100V N沟道TrenchFET 功率MOSFET采用ThunderFET技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m?的低导通电阻 https://news.ca168.com/201301/16343.html 2013-01-10 |
| Vishay Siliconix 推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201212/14848.html 2012-12-07 |
| Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28%，同时保持相同的PCB布版样式。 https://news.ca168.com/201211/14338.html 2012-11-28 |
| Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器 日前，Vishay 宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器--- VOM1271。 https://news.ca168.com/201211/13615.html 2012-11-13 |