找到相关信息约187条搜索结果
| 东芝超级结MOSFET荣获“2014年度中国电子成就奖”的“年度优秀产品奖” 日本半导体制造商株式会社东芝（Toshiba）旗下东芝半导体存储产品公司宣布，东芝超级结MOSFET荣获2014年度中国电子成就奖的年度 https://news.ca168.com/201409/33229.html 2014-09-26 |
| IR为DC-DC应用提供新型FastIRFET双功率MOSFET 全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET，藉以扩充电源模块组件系列。 https://news.ca168.com/201408/30796.html 2014-08-14 |
| Vishay发布采用ThunderFET®技术的通过AEC-Q101认证的最新MOSFET 2014 年 3 月4 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布首颗通过AEC-Q101认证的采用ThunderFET技术的TrenchFET功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201403/28679.html 2014-03-05 |
| Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET 2013 年 12 月12 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK? SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。 https://news.ca168.com/201312/27654.html 2013-12-12 |
| Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻 2013 年 11 月29 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201312/27425.html 2013-12-03 |
| Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 10 月10 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8m?，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。 https://news.ca168.com/201310/25959.html 2013-10-11 |
| Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET®Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。 https://news.ca168.com/201309/25025.html 2013-09-05 |
| Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 首款40V P沟道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET https://news.ca168.com/201307/23183.html 2013-07-15 |
| Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 MALVERN - 2013 年 7 月12 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201307/23135.html 2013-07-12 |
| Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道 功率MOSFET家族 2013 年 6 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性 https://news.ca168.com/201306/21470.html 2013-06-04 |