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| Vishay新款40V TrenchFET®功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案 2015 年 4 月1 日 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK 8x8L https://news.ca168.com/201504/40816.html 2015-04-01 |
| Vishay新款 20V MOSFET可显著提高便携式电子产品的功率密度和可靠性 宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。Vishay Siliconix SiA466EDJ的占位面积为2mm x 2mm，具有业内最高的封装限制电流，可使便携式电子产品实现更高的功率密度和可靠性。它同时也是业内唯一具有±20 https://news.ca168.com/201503/40139.html 2015-03-05 |
| 落木源电子推出高频特大功率MOSFET驱动器填补国内外空白 据悉，落木源电子近日推出一款高频、特大功率MOSFET驱动器KA106，其最高工作频率高达300KHz，最大输出电流40A，最大输出功率可达 https://news.ca168.com/201501/38165.html 2015-01-19 |
| Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET 2014年10月9日 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E https://news.ca168.com/201410/34353.html 2014-10-09 |
| 东芝超级结MOSFET荣获“2014年度中国电子成就奖”的“年度优秀产品奖” 日本半导体制造商株式会社东芝（Toshiba）旗下东芝半导体存储产品公司宣布，东芝超级结MOSFET荣获2014年度中国电子成就奖的年度 https://news.ca168.com/201409/33229.html 2014-09-26 |
| IR为DC-DC应用提供新型FastIRFET双功率MOSFET 全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET，藉以扩充电源模块组件系列。 https://news.ca168.com/201408/30796.html 2014-08-14 |
| Vishay发布采用ThunderFET®技术的通过AEC-Q101认证的最新MOSFET 2014 年 3 月4 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布首颗通过AEC-Q101认证的采用ThunderFET技术的TrenchFET功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201403/28679.html 2014-03-05 |
| Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET 2013 年 12 月12 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK? SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。 https://news.ca168.com/201312/27654.html 2013-12-12 |
| Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻 2013 年 11 月29 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201312/27425.html 2013-12-03 |
| Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 10 月10 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8m?，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。 https://news.ca168.com/201310/25959.html 2013-10-11 |