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| 第21讲：SiC MOSFET的并联-静态均流 第21讲：SiC MOSFET的并联-静态均流通过并联SiC MOSFET功率器件，可以获得更高输出电流，满足更大功率系统的要求。本章节主要介 https://news.ca168.com/202510/140815.html 2025-10-13 |
| 第20讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（2） 栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大 https://news.ca168.com/202509/140586.html 2025-09-18 |
| 第19讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（1） 下面以采用光耦隔离的基本栅极驱动电路（图1）为例来说明。 https://news.ca168.com/202509/140585.html 2025-09-18 |
| 第18讲：SiC MOSFET的动态特性 SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加 https://news.ca168.com/202509/140584.html 2025-09-18 |
| 第17讲：SiC MOSFET的静态特性 图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低 https://news.ca168.com/202509/140583.html 2025-09-18 |
| 搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产 中国上海，2025年9月10日全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团（总部位于德国 https://news.ca168.com/202509/140438.html 2025-09-10 |
| 英飞凌OptiMOS™ 6产品组合新增TOLL、TOLG和TOLT封装的150V MOSFET，助推汽车电气化进程 【2025年9月4日, 德国慕尼黑讯】随着全球汽车行业电气化进程的加速，市场对高效、紧凑且可靠的功率系统的需求持续增长不仅乘用车 https://news.ca168.com/202509/140344.html 2025-09-05 |
| 赛米控丹佛斯推出集成罗姆2kV SiC MOSFETs的模块，助力SMA光伏方案 2025年5月12日 https://news.ca168.com/202508/140191.html 2025-08-29 |
| 三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用（2） 随着市场需求的不断增长，SiC MOSFET在电动汽车中的应用日益广泛，已经成为推动电动汽车电气化和高效能的重要技术之一。上一篇我 https://news.ca168.com/202508/139993.html 2025-08-19 |
| 英飞凌推出采用 Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2，将工业应用功率密度提升至新高度 【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY https://news.ca168.com/202508/139635.html 2025-08-01 |