找到相关信息约184条搜索结果
| CoolSiC™ MOSFET Gen2助力英飞凌革新碳化硅市场 英飞凌凭借CoolSiC MOSFET Gen2技术，再度突破极限，实现更高效率、更低功耗，这也使英飞凌在日益发展且竞争激烈的碳化硅市场， https://news.ca168.com/202407/133262.html 2024-07-11 |
| 英飞凌推出600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET；推出OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近 https://news.ca168.com/202406/132959.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列， 适用于高成本效益的先进电源应用 【2024年6月26日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS8 高压超结（SJ）MO https://news.ca168.com/202406/132949.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微 随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这 https://news.ca168.com/202406/132960.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 【2024年6月25日，德国慕尼黑讯】随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定 https://news.ca168.com/202406/132939.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET 【2024年6月24日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN https://news.ca168.com/202406/132916.html 2024-06-24 |
| 瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产 近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称瞻芯电子）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩSiC MOSFET产品（IV3Q12013T4 https://news.ca168.com/202406/132901.html 2024-06-24 |
| 新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率 【2024年6月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiM https://news.ca168.com/202406/132849.html 2024-06-19 |
| 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度 【2024年6月13日，德国慕尼黑讯】在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。 https://news.ca168.com/202406/132744.html 2024-06-13 |
| 三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块 Unifull 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块三菱电机集团近日（2024年6月10日）宣布，从6月10日起开始为包括铁路和电力系统在内的大 https://news.ca168.com/202406/132709.html 2024-06-12 |