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| Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。 https://news.ca168.com/201205/6643.html 2012-05-03 |