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| 东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率 中国上海，2020年3月30日东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）今日宣布，其U-MOS X-H系列产品线新增采用其最新一代工艺制 https://news.ca168.com/202003/104992.html 2020-03-31 |
| 东芝面向中大电流IGBT／MOSFET 推出内置保护功能的光耦 中国上海，2020年3月10日东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）今日宣布，推出TLP5231，这是一款面向中大电流绝缘栅双极型 https://news.ca168.com/202003/104652.html 2020-03-10 |
| Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率 宾夕法尼亚、MALVERN 2019年12月11日日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型Po https://news.ca168.com/201912/103847.html 2019-12-11 |
| Vishay推出的新款60 V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件 宾夕法尼亚、MALVERN2019年8月12日日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款60 V TrenchFET第四 https://news.ca168.com/201908/102849.html 2019-08-13 |
| Vishay携最新MOSFET、IC、无源器件和二极管技术亮相APEC 2019 宾夕法尼亚、MALVERN2019年3月12日 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，将在3月17日-21日于加利福 https://news.ca168.com/201903/101712.html 2019-03-14 |
| Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的30 V和40 V P沟道MOSFET，有效提高板级可靠性 宾夕法尼亚、MALVERN2019年3月7日日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽车级p沟 https://news.ca168.com/201903/101708.html 2019-03-14 |
| Vishay的最新第四代600V E系列MOSFET器件的性能达到业内最佳水平 宾夕法尼亚、MALVERN2019年1月28日日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列 https://news.ca168.com/201901/101389.html 2019-01-29 |
| 基本半导体发布高可靠性1200V碳化硅MOSFET 近十年来，第三代半导体技术已趋于成熟。碳化硅作为第三代半导体器件的重要代表，已在工业、汽车以及国防军工等领域有着广泛 https://news.ca168.com/201901/101182.html 2019-01-11 |
| 基本半导体发布国内首款工业级碳化硅MOSFET 新年伊始，基本半导体正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET，该产品各项性能达到国际领先水平，其中短路 https://news.ca168.com/201901/101180.html 2019-01-11 |
| 瑞萨电子100V半桥驱动器为12V - 48V汽车混合动力系统的双向电源控制器MOSFET提供安全驱动 日本东京讯全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布推出全新汽车应用级的 100V、4A半桥N-MOSFET系 https://news.ca168.com/201811/100524.html 2018-11-07 |