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| 采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET 引言人们普遍认为，SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统 https://news.ca168.com/202101/109478.html 2021-01-26 |
| 【论文】一种新型1.2kV SiC MOSFET器件的精确SPICE模型的开发 一种新型1.2kV SiC MOSFET器件的精确SPICE模型的开发TakashiMasuhara1, Takeshi Horiguchi1,Yasushige Mukunoki1,Tomohide Tera https://news.ca168.com/202101/109366.html 2021-01-09 |
| 三菱电机推出4引脚 N系列 1200V SiC-MOSFET 背景面对日益增长的节能和环保意识的需求，SiC功率半导体因其显著降低功率损耗的潜力而受到越来越多的关注。三菱电机自2010年将 https://news.ca168.com/202012/109199.html 2020-12-21 |
| 中国功率MOSFET主要供应商的排名 2020年受到疫情影响，8寸晶圆外延片延期交货，产能紧缺，而下游需求旺盛，近期8寸晶圆线代工厂纷纷上调价格。功率MOSFET生产 https://news.ca168.com/202011/108630.html 2020-11-09 |
| 东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET 东芝电子元件及存储装置株式会社（东芝）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---TW070J120B。该产品面向工业应用（ https://news.ca168.com/202010/108299.html 2020-10-19 |
| 3.3kV传统SiC MOSFET与下一代集成SBD的SiC MOSFET电气特性对比研究 作者：三菱电机功率器件制作所T. MurakamiK. SadamatsuM. ImaizumiE. Suekawa三菱电机先端技术研究中心S.Hino 三菱电机持续不 https://news.ca168.com/202009/108033.html 2020-09-28 |
| Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET，可提高能效和功率密度 器件采用PowerPAK SO－8单体封装，栅极电荷与导通电阻乘积优值系数达到同类产品最佳水平 宾夕法尼亚、MALVERN 2020年8月17日 日 https://news.ca168.com/202008/107140.html 2020-08-17 |
| 他来了！三菱电机SiC MOSFET仿真技术来了！ 背 景 SiC功率半导体器件凭借其显著降低功率损耗等特性获得众多关注，其市场需求正不断攀升。2010年，三菱电机开始将SiC功率半 https://news.ca168.com/202007/106867.html 2020-07-31 |
| Vishay推出新款30 V MOSFET半桥功率级模块，输出电流提高11 % 宾夕法尼亚、MALVERN 2020年7月9日 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V n沟道 https://news.ca168.com/202007/106481.html 2020-07-13 |
| 尚阳通高速IGBT与MOSFET的应用特性比较 尚阳通推出650V沟槽栅场效应截止型超高速（FSU）系列IGBT。此系列产品专为高频开关电源应用进行了优化设计；较传统方案降低了开 https://news.ca168.com/202007/106383.html 2020-07-07 |