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| 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电 3月19日，英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功 https://news.ca168.com/202403/131105.html 2024-03-20 |
| 英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展 【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET https://news.ca168.com/202403/130968.html 2024-03-14 |
| 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度 【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新C https://news.ca168.com/202403/130936.html 2024-03-14 |
| 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/ OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新 https://news.ca168.com/202403/130893.html 2024-03-12 |
| 新品｜160V半桥SOI半桥驱动器驱动100V MOSFET评估套件 用于电池供电应用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1评估套件包括一块三相逆变器功率板，该功率板带有额定电压为160V的2ED2748S01G（3x3 https://news.ca168.com/202403/130892.html 2024-03-12 |
| 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统 【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅 https://news.ca168.com/202403/130881.html 2024-03-12 |
| 东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块 3月6日，东芝电子元件及存储装置株式会社（下文简称东芝）宣布，公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅（SiC）1700 V、 https://news.ca168.com/202403/130876.html 2024-03-11 |
| 【新品】三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品 硅射频高功率MOSFET（RD06LUS2）三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属 https://news.ca168.com/202402/130682.html 2024-02-28 |
| 新品 | 12个CoolSiC™ MOSFET新型号-1200V CoolSiC™ MOSFET Easy1B和Easy2B模块 又有一批12个不同型号的EasyPACK和EasyDUAL 1B和2B CoolSiC MOSFET模块上市，他们采用CoolSiC MOSFET增强型1代，适用于电动汽车 https://news.ca168.com/202402/130458.html 2024-02-01 |
| 新品 | 2000V 12-100mΩ CoolSiC™ MOSFET CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流 https://news.ca168.com/202401/130439.html 2024-01-31 |