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东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET,有助于汽车设备实现高散热和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGL(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工
https://news.ca168.com/202308/127376.html    2023-08-17

英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件,用于静态开关应用
【2023年7月27日,德国慕尼黑讯】在静态开关应用中,电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设
https://news.ca168.com/202308/126982.html    2023-08-02

新能源汽车碳化硅MOSFET出货量突破1200万只
近日,随着中国新能源汽车生产量迈入2000万辆大关,中国电科国基南方、55所研制的新能源汽车用650V-1200V碳化硅MOSFET出货量突破
https://news.ca168.com/202307/126481.html    2023-07-12

中国电科:车用SiC MOSFET出货量破1200万只
据中国电科消息,随着中国新能源汽车生产量迈入2000万辆大关,中国电科国基南方、55所研制的新能源汽车用650V-1200V碳化硅MOSFE
https://news.ca168.com/202307/126475.html    2023-07-12

Wolfspeed 8英寸厂向中国客户批量出货SiC MOSFET
根据Wolfspeed的最新消息,随着其在纽约州莫霍克谷工厂的投产,Wolfspeed已经开始向中国终端客户批量出货碳化硅MOSFET,首批供应
https://news.ca168.com/202307/126323.html    2023-07-06

新品 | 6.5A,2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板(配SiC MOSFET
EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路,用两个栅极驱动IC 1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率开关。该板预装了两
https://news.ca168.com/202306/125930.html    2023-06-16

用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET
增强型1代1200V CoolSiC MOSFET的EasyDUAL 1B半桥模块,采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC,并有使用预涂的热界面材料(
https://news.ca168.com/202306/125741.html    2023-06-09

三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET
新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上图1新开发的芯片结构(上:芯片截面;下:并联芯片)三菱电机集团近日(2023年6月
https://news.ca168.com/202306/125682.html    2023-06-07

东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFETSSM14N956L,该器件可用于移动设备
https://news.ca168.com/202305/125296.html    2023-05-18

功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考
4月24日,东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布,在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率半导体
https://news.ca168.com/202304/124869.html    2023-04-26

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