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| 英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度 【2025年2月20日, 德国慕尼黑讯】电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新， https://news.ca168.com/202502/136257.html 2025-02-20 |
| 英飞凌推出OptiMOS™ Linear FET 2 MOSFET， 赋能先进的热插拔技术和电池保护功能 【2024年11月25日, 德国慕尼黑讯】为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 https://news.ca168.com/202411/135053.html 2024-11-26 |
| 英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合 【2024年9月27日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 https://news.ca168.com/202409/134447.html 2024-09-28 |
| 面向热插拔应用的稳健MOSFET 热插拔电路主要用于高可用性系统，例如数据中心和电信基础设施。在高可用性系统中采用热插拔电路时，即使需要更换或添加组件以维 https://news.ca168.com/202409/134419.html 2024-09-25 |
| 新品快讯 | Nexperia现提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封装的汽车级小信号MOSFET 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出采用微型DFN封装的单和双小信号MOSFET器件，分别采 https://news.ca168.com/202409/134274.html 2024-09-11 |
| 新闻 | 罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型 ～应用于主机逆变器，有助于延长续航里程，提升性能～ 日前，搭载了罗姆（总部位于日本京都市）第4代SiC MOSFET裸芯片的 https://news.ca168.com/202409/134190.html 2024-09-05 |
| 新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列 英飞凌最新推出的600V CoolMOS 8引领着全球高压超级结MOSFET技术的发展，在全球范围内树立了技术和性价比标准。CoolMOS 8是英飞 https://news.ca168.com/202409/134146.html 2024-09-03 |
| 资讯 | 支持PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开始提供支持电力电子仿真工具PSIM的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Alta https://news.ca168.com/202408/133973.html 2024-08-22 |
| 新品 | CoolSiC™ MOSFET 1.9mΩ，2.5mΩ 3.3kV XHP™ 2半桥模块 XHP 2 CoolSiC MOSFET 3.3kV集成体二极管、XHP 2封装，采用.XT互联技术产品型号：■FF2000UXTR33T2M1 1.9mΩ 3.3kV■FF260 https://news.ca168.com/202408/133929.html 2024-08-19 |