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| 资讯 | 支持PSIM™的第4代SiC MOSFET仿真模型 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开始提供支持电力电子仿真工具PSIM的第4代SiC MOSFET仿真模型。该模型可在Alta https://news.ca168.com/202408/133973.html 2024-08-22 |
| 新品 | CoolSiC™ MOSFET 1.9mΩ，2.5mΩ 3.3kV XHP™ 2半桥模块 XHP 2 CoolSiC MOSFET 3.3kV集成体二极管、XHP 2封装，采用.XT互联技术产品型号：■FF2000UXTR33T2M1 1.9mΩ 3.3kV■FF260 https://news.ca168.com/202408/133929.html 2024-08-19 |
| 探索新的驾驶世界！东芝拓展40V N沟道功率MOSFET产品线 极致的驾驶体验除了拥有卓越的性能，更需要高效的功耗控制实现长距离行驶和碳排放降低，让驾驶乐趣和节能效率并存！正是因为考虑 https://news.ca168.com/202408/133762.html 2024-08-09 |
| 新品快讯 | Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品 https://news.ca168.com/202408/133724.html 2024-08-07 |
| 替代Trench MOSFET？国产SGT MOSFET产品井喷 近几年第三代半导体在功率器件上发光发热，低压消费应用上GaN器件统治充电头市场，新能源汽车高压平台上SiC器件逐渐成为标配。在 https://news.ca168.com/202408/133634.html 2024-08-02 |
| 英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革 在日新月异的电力电子行业，对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET，英飞凌进行了巨大的研发投入 https://news.ca168.com/202407/133615.html 2024-07-31 |
| 三安1700V/1Ω SiC MOSFET的高压辅源应用 随着光伏发电系统、能源存储、电车充电、电机驱动等市场需求的快速增加，该领域所用高压辅助电源的性能要求及需求量也在不断提升 https://news.ca168.com/202407/133592.html 2024-07-29 |
| 可扩展的测试系统 | 在极端dV/dt条件下评估多款SiC MOSFET AOS开发了一种可扩展的测试系统，用于在极端dV/dt条件下评估碳化硅（SiC）MOSFET在连续工作模式下的稳定性。半桥式测试系统能够 https://news.ca168.com/202407/133591.html 2024-07-29 |
| 并联SiC MOSFET的均流研究 并联SiC MOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiC MOSFET分流影响的理 https://news.ca168.com/202407/133553.html 2024-07-25 |