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| 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品 第二代CoolSiC MOSFET 650V G2分立器件产品线现扩充ThinTOLL 8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖 https://news.ca168.com/202507/139172.html 2025-07-09 |
| Wolfspeed推SiC MOSFET/SBD新品：顶部散热封装 最近Wolfspeed的破产消息给业界带来了不小的震撼，虽然在资本层面面临危机，不过Wolfspeed当前的业务还是在正常推进的。Wolfspe https://news.ca168.com/202507/139165.html 2025-07-09 |
| 英飞凌推出具有超低导通电阻的CoolSiC™ MOSFET 750 V G2，适用于汽车和工业功率电子应用 【2025年7月1日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY https://news.ca168.com/202507/139022.html 2025-07-01 |
| 英飞凌CoolMOS™ 8超结MOSFET为光宝科技数据中心应用树立最佳系统性能新标杆 【2025年6月13日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN https://news.ca168.com/202506/138726.html 2025-06-14 |
| 瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC MOSFET研发成果，助力高压应用技术革新 6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD2025 https://news.ca168.com/202506/138583.html 2025-06-07 |
| 采用电平位移驱动器碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板 电子设备会污染电网，导致电网失真，威胁着供电系统的稳定性和效率。为此，电源设计中需要采用先进的功率因数校正（PFC）电路。 https://news.ca168.com/202505/138307.html 2025-05-23 |
| 英飞凌OptiMOS™ 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准 【2025年5月16日, 德国慕尼黑讯】随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可 https://news.ca168.com/202505/138127.html 2025-05-16 |
| 内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块 被SMA的太阳能系统采用 全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称SMA）在其太阳能系统新产品Sunny Central FLE https://news.ca168.com/202505/138052.html 2025-05-14 |
| 新品 | AOS第三代1200V aSiC MOSFET 新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品在高负载条件下能够保持较低的传导损耗，其开关品质因数（FOM）显著提升高达30%。在强 https://news.ca168.com/202505/137902.html 2025-05-06 |
| 半桥1200V CoolSiC™ MOSFET EconoDUAL™ 3模块 采用EconoDUAL 3封装的1200V/1.4mΩ半桥模块。芯片为SiC MOSFET M1H增强型1代、集成NTC温度传感器和PressFIT针脚。还可提供 https://news.ca168.com/202504/137587.html 2025-04-23 |