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| 新品快讯 | Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合可提供更高的设计灵活性 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品 https://news.ca168.com/202408/133724.html 2024-08-07 |
| 替代Trench MOSFET？国产SGT MOSFET产品井喷 近几年第三代半导体在功率器件上发光发热，低压消费应用上GaN器件统治充电头市场，新能源汽车高压平台上SiC器件逐渐成为标配。在 https://news.ca168.com/202408/133634.html 2024-08-02 |
| 英飞凌600 V CoolMOS™ 8 新一代硅基MOSFET技术助力电力电子行业变革 在日新月异的电力电子行业，对更高效、更强大、更紧凑元器件的需求持续存在。对于新一代硅基MOSFET，英飞凌进行了巨大的研发投入 https://news.ca168.com/202407/133615.html 2024-07-31 |
| 三安1700V/1Ω SiC MOSFET的高压辅源应用 随着光伏发电系统、能源存储、电车充电、电机驱动等市场需求的快速增加，该领域所用高压辅助电源的性能要求及需求量也在不断提升 https://news.ca168.com/202407/133592.html 2024-07-29 |
| 可扩展的测试系统 | 在极端dV/dt条件下评估多款SiC MOSFET AOS开发了一种可扩展的测试系统，用于在极端dV/dt条件下评估碳化硅（SiC）MOSFET在连续工作模式下的稳定性。半桥式测试系统能够 https://news.ca168.com/202407/133591.html 2024-07-29 |
| 并联SiC MOSFET的均流研究 并联SiC MOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiC MOSFET分流影响的理 https://news.ca168.com/202407/133553.html 2024-07-25 |
| CoolSiC™ MOSFET Gen2助力英飞凌革新碳化硅市场 英飞凌凭借CoolSiC MOSFET Gen2技术，再度突破极限，实现更高效率、更低功耗，这也使英飞凌在日益发展且竞争激烈的碳化硅市场， https://news.ca168.com/202407/133262.html 2024-07-11 |
| 英飞凌推出600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET；推出OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近 https://news.ca168.com/202406/132959.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列， 适用于高成本效益的先进电源应用 【2024年6月26日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS8 高压超结（SJ）MO https://news.ca168.com/202406/132949.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微 随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这 https://news.ca168.com/202406/132960.html 2024-06-26 |