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| 英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS™ 7 功率MOSFET 【2025年10月22日, 德国慕尼黑讯】各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。 https://news.ca168.com/202510/141156.html 2025-10-29 |
| 第27讲：三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用（2） 1.1 产品阵容三菱电机已推出三款SiC模块产品，半桥T-PM模块：CTF350DJ3A130，三相全桥模块HEXA-S：CTF350CJ3C130，三相全桥模块 https://news.ca168.com/202510/141143.html 2025-10-28 |
| 第26讲：三菱电机SiC MOSFET在电动汽车中的应用（1） 从1997年开始三菱电机开始进行硅基车载功率模块的开发和量产。最新开发的J3系列SiC模块搭载了三菱电机最新的沟槽栅SiC MOSFE https://news.ca168.com/202510/141142.html 2025-10-28 |
| 英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET 【2025年10月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFN https://news.ca168.com/202510/141113.html 2025-10-24 |
| 英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列，提升大功率应用中的功率密度 【2025年10月17日, 德国慕尼黑讯】电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场 https://news.ca168.com/202510/140966.html 2025-10-17 |
| 第23讲：SiC MOSFET模块的损耗计算 为了安全使用SiC模块，需要计算工作条件下的功率损耗和结温，并在额定值范围内使用。MOSFET损耗计算与IGBT既有相似之处，也有不 https://news.ca168.com/202510/140866.html 2025-10-14 |
| 第22讲：SiC MOSFET模块的并联-动态均流 在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章 https://news.ca168.com/202510/140865.html 2025-10-14 |
| 第21讲：SiC MOSFET的并联-静态均流 第21讲：SiC MOSFET的并联-静态均流通过并联SiC MOSFET功率器件，可以获得更高输出电流，满足更大功率系统的要求。本章节主要介 https://news.ca168.com/202510/140815.html 2025-10-13 |
| 皮尔磁：IO-Link Safety如何兼顾安全、效率与灵活性 在当今工业领域的生产中，安全与效率不再是相互矛盾的命题，而是相辅相成的双翼。传统的安全技术虽然可靠，但在诊断能力、灵 https://news.ca168.com/202509/140681.html 2025-09-29 |
| 第20讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（2） 栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大 https://news.ca168.com/202509/140586.html 2025-09-18 |