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| Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 MALVERN - 2013 年 7 月12 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201307/23135.html 2013-07-12 |
| Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道 功率MOSFET家族 2013 年 6 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性 https://news.ca168.com/201306/21470.html 2013-06-04 |
| 国家标准化指导性技术文件GB/Z 29496.1 ～.3-2013《控制与通信网络CC-Link Safety规范 (三个部分)》正式发布 2013年5月8日上午，在北京钓鱼台国宾馆召开了国家标准化指导性技术文件GB/Z 29496.1 ～.3-2013《控制与通信网络CC-Link Safety规范 (三个部分)》发布暨报告会。 https://news.ca168.com/201306/21448.html 2013-06-04 |
| 第十二届"工业自动化与标准化"2013——再论测控系统Security & Safety“度”及实现 研讨会会议通知 信息安全和功能安全事关工业生产运行、国家经济安全和人民生命财产安全，一直是工业自动化领域的国际热点发展方向。"震网"病毒事件以来，工业控制系统信息安全得到了我国各级管理部门的重视。 https://news.ca168.com/201305/20537.html 2013-05-13 |
| 国家标准化指导性技术文件GB/Z 29496.1 ～.3-2013《控制与通信网络CC-Link Safety规范 (三个部分)》正式发布 2013年5月8日上午，在北京钓鱼台国宾馆召开了国家标准化指导性技术文件GB/Z 29496.1 ～.3-2013《控制与通信网络CC-Link Safety规范 (三个部分)》发布暨报告会。 https://news.ca168.com/201305/20536.html 2013-05-13 |
| Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 4 月23 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。 https://news.ca168.com/201304/19956.html 2013-04-23 |
| Vishay Siliconix发布用于功率MOSFET的免费在线仿真工具 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 3 月5 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。 https://news.ca168.com/201303/18134.html 2013-03-06 |
| OMRON Safety— 安全控制器G9SP 近年来，安全控制作为机械控制的一部分，越来越呈现复杂化和多样化。比如仅想使危险区域停止或进行模式切换对设备进行维护，希望能方便的增加和变更电路等…为了解决这些课题，推荐使用可编程的控制器。 https://news.ca168.com/201301/16666.html 2013-01-17 |
| Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET®功率MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT?封装。 https://news.ca168.com/201301/16504.html 2013-01-14 |
| Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封装的功率MOSFET 新款100V N沟道TrenchFET 功率MOSFET采用ThunderFET技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m?的低导通电阻 https://news.ca168.com/201301/16343.html 2013-01-10 |