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| 国家标准化指导性技术文件GB/Z 29496.1 ～.3-2013《控制与通信网络CC-Link Safety规范 (三个部分)》正式发布 2013年5月8日上午，在北京钓鱼台国宾馆召开了国家标准化指导性技术文件GB/Z 29496.1 ～.3-2013《控制与通信网络CC-Link Safety规范 (三个部分)》发布暨报告会。 https://news.ca168.com/201305/20536.html 2013-05-13 |
| Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 4 月23 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。 https://news.ca168.com/201304/19956.html 2013-04-23 |
| Vishay Siliconix发布用于功率MOSFET的免费在线仿真工具 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 3 月5 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。 https://news.ca168.com/201303/18134.html 2013-03-06 |
| OMRON Safety— 安全控制器G9SP 近年来，安全控制作为机械控制的一部分，越来越呈现复杂化和多样化。比如仅想使危险区域停止或进行模式切换对设备进行维护，希望能方便的增加和变更电路等…为了解决这些课题，推荐使用可编程的控制器。 https://news.ca168.com/201301/16666.html 2013-01-17 |
| Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET®功率MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT?封装。 https://news.ca168.com/201301/16504.html 2013-01-14 |
| Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封装的功率MOSFET 新款100V N沟道TrenchFET 功率MOSFET采用ThunderFET技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m?的低导通电阻 https://news.ca168.com/201301/16343.html 2013-01-10 |
| Vishay Siliconix 推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201212/14848.html 2012-12-07 |
| Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28%，同时保持相同的PCB布版样式。 https://news.ca168.com/201211/14338.html 2012-11-28 |
| Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器 日前，Vishay 宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器--- VOM1271。 https://news.ca168.com/201211/13615.html 2012-11-13 |
| Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 5 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A～36A电流，采用多种封装。 https://news.ca168.com/201205/6643.html 2012-05-03 |