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Vishay发布用于安全认证应用的新系列SMD MLCC
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于安全认证应用的新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ Safety。该系列器件采用C0G(NP0)和X7R电介质,每款器件提供X1/Y2和X2安全分级,电压达到250VAC。
https://news.ca168.com/201309/25669.html    2013-09-26

Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET®Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2mm x 2mm,在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
https://news.ca168.com/201309/25025.html    2013-09-05

Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
首款40V P沟道Gen III器件,首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET
https://news.ca168.com/201307/23183.html    2013-07-15

Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
MALVERN - 2013 年 7 月12 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET
https://news.ca168.com/201307/23135.html    2013-07-12

Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道 功率MOSFET家族
2013 年 6 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装,将10V下的导通电阻扩展到30mΩ~600mΩ,将最高电流等级扩大为6A~105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术,针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用,Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性
https://news.ca168.com/201306/21470.html    2013-06-04

国家标准化指导性技术文件GB/Z 29496.1 ~.3-2013《控制与通信网络CC-Link Safety规范 (三个部分)》正式发布
  2013年5月8日上午,在北京钓鱼台国宾馆召开了国家标准化指导性技术文件GB/Z 29496.1 ~.3-2013《控制与通信网络CC-Link Safety规范 (三个部分)》发布暨报告会。
https://news.ca168.com/201306/21448.html    2013-06-04

第十二届"工业自动化与标准化"2013——再论测控系统Security & Safety“度”及实现 研讨会会议通知
信息安全和功能安全事关工业生产运行、国家经济安全和人民生命财产安全,一直是工业自动化领域的国际热点发展方向。"震网"病毒事件以来,工业控制系统信息安全得到了我国各级管理部门的重视。
https://news.ca168.com/201305/20537.html    2013-05-13

国家标准化指导性技术文件GB/Z 29496.1 ~.3-2013《控制与通信网络CC-Link Safety规范 (三个部分)》正式发布
2013年5月8日上午,在北京钓鱼台国宾馆召开了国家标准化指导性技术文件GB/Z 29496.1 ~.3-2013《控制与通信网络CC-Link Safety规范 (三个部分)》发布暨报告会。
https://news.ca168.com/201305/20536.html    2013-05-13

Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围
宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 4 月23 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP,将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。
https://news.ca168.com/201304/19956.html    2013-04-23

Vishay Siliconix发布用于功率MOSFET的免费在线仿真工具
宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 3 月5 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。
https://news.ca168.com/201303/18134.html    2013-03-06

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