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| 汇集群雄 相聚于京——CC-Link总线技术应用研讨会 有效控制是实现安全措施的关键——CC-Link总线技术应用研讨会（汽车行业）15日在京召开，到会的专家分别与我们分享了CC-Link、CC-Link Safety国家标准研究与现状，CC-Link网络架构及其系统开发，CC-Link兼容产品开发、测试及认证简介以及CC-Link在汽车行业的应用，多面立体的介绍了CC-Link技术。 https://news.ca168.com/201409/32486.html 2014-09-17 |
| IR为DC-DC应用提供新型FastIRFET双功率MOSFET 全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET，藉以扩充电源模块组件系列。 https://news.ca168.com/201408/30796.html 2014-08-14 |
| 超级电容与锂电技术路径之争:广阔天地,并行不悖 欧盟于2013年10月正式启动石墨烯旗舰项目(FET),利用高强度、高导电石墨烯薄膜材料提升电容器物理性能为其探索方向之一,并取得阶段性成果。 https://news.ca168.com/201403/28965.html 2014-03-21 |
| Vishay发布采用ThunderFET®技术的通过AEC-Q101认证的最新MOSFET 2014 年 3 月4 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布首颗通过AEC-Q101认证的采用ThunderFET技术的TrenchFET功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201403/28679.html 2014-03-05 |
| Vishay推出业内首款通过汽车电子元件标准AEC-Q101认证的非对称封装双芯片MOSFET 2013 年 12 月12 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK? SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。 https://news.ca168.com/201312/27654.html 2013-12-12 |
| Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻 2013 年 11 月29 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201312/27425.html 2013-12-03 |
| Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 10 月10 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8m?，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。 https://news.ca168.com/201310/25959.html 2013-10-11 |
| Vishay发布用于安全认证应用的新系列SMD MLCC 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于安全认证应用的新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ Safety。该系列器件采用C0G(NP0)和X7R电介质，每款器件提供X1/Y2和X2安全分级，电压达到250VAC。 https://news.ca168.com/201309/25669.html 2013-09-26 |
| Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET®Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。 https://news.ca168.com/201309/25025.html 2013-09-05 |
| Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 首款40V P沟道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET https://news.ca168.com/201307/23183.html 2013-07-15 |