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三安1700V/1Ω SiC MOSFET的高压辅源应用
随着光伏发电系统、能源存储、电车充电、电机驱动等市场需求的快速增加,该领域所用高压辅助电源的性能要求及需求量也在不断提升
https://news.ca168.com/202407/133592.html    2024-07-29

可扩展的测试系统 | 在极端dV/dt条件下评估多款SiC MOSFET
AOS开发了一种可扩展的测试系统,用于在极端dV/dt条件下评估碳化硅(SiC)MOSFET在连续工作模式下的稳定性。半桥式测试系统能够
https://news.ca168.com/202407/133591.html    2024-07-29

并联SiC MOSFET的均流研究
并联SiC MOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiC MOSFET分流影响的理
https://news.ca168.com/202407/133553.html    2024-07-25

CoolSiC™ MOSFET Gen2助力英飞凌革新碳化硅市场
英飞凌凭借CoolSiC MOSFET Gen2技术,再度突破极限,实现更高效率、更低功耗,这也使英飞凌在日益发展且竞争激烈的碳化硅市场,
https://news.ca168.com/202407/133262.html    2024-07-11

英飞凌推出600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET;推出OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合
英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近
https://news.ca168.com/202406/132959.html    2024-06-26

英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列, 适用于高成本效益的先进电源应用
【2024年6月26日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS8 高压超结(SJ)MO
https://news.ca168.com/202406/132949.html    2024-06-26

英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这
https://news.ca168.com/202406/132960.html    2024-06-26

英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V, 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
【2024年6月25日,德国慕尼黑讯】随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定
https://news.ca168.com/202406/132939.html    2024-06-26

英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
【2024年6月24日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNN
https://news.ca168.com/202406/132916.html    2024-06-24

瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产
近日,上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称瞻芯电子)基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩSiC MOSFET产品(IV3Q12013T4
https://news.ca168.com/202406/132901.html    2024-06-24

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