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| 可扩展的测试系统 | 在极端dV/dt条件下评估多款SiC MOSFET AOS开发了一种可扩展的测试系统,用于在极端dV/dt条件下评估碳化硅(SiC)MOSFET在连续工作模式下的稳定性。半桥式测试系统能够 https://news.ca168.com/202407/133591.html 2024-07-29 |
| 并联SiC MOSFET的均流研究 并联SiC MOSFET面临着许多技术挑战,包括电流不平衡、不同的热性能、过电压等。本文介绍了不同参数对并联SiC MOSFET分流影响的理 https://news.ca168.com/202407/133553.html 2024-07-25 |
| CoolSiC™ MOSFET Gen2助力英飞凌革新碳化硅市场 英飞凌凭借CoolSiC MOSFET Gen2技术,再度突破极限,实现更高效率、更低功耗,这也使英飞凌在日益发展且竞争激烈的碳化硅市场, https://news.ca168.com/202407/133262.html 2024-07-11 |
| 英飞凌推出600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET;推出OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近 https://news.ca168.com/202406/132959.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列, 适用于高成本效益的先进电源应用 【2024年6月26日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS8 高压超结(SJ)MO https://news.ca168.com/202406/132949.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微 随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这 https://news.ca168.com/202406/132960.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V, 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 【2024年6月25日,德国慕尼黑讯】随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定 https://news.ca168.com/202406/132939.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET 【2024年6月24日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNN https://news.ca168.com/202406/132916.html 2024-06-24 |
| 瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产 近日,上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称瞻芯电子)基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩSiC MOSFET产品(IV3Q12013T4 https://news.ca168.com/202406/132901.html 2024-06-24 |


