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| 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 【2024年6月25日，德国慕尼黑讯】随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定 https://news.ca168.com/202406/132939.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET 【2024年6月24日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNN https://news.ca168.com/202406/132916.html 2024-06-24 |
| 瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产 近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称瞻芯电子）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩSiC MOSFET产品（IV3Q12013T4 https://news.ca168.com/202406/132901.html 2024-06-24 |
| 新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率 【2024年6月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiM https://news.ca168.com/202406/132849.html 2024-06-19 |
| 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度 【2024年6月13日，德国慕尼黑讯】在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。 https://news.ca168.com/202406/132744.html 2024-06-13 |
| 三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块 Unifull 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块三菱电机集团近日（2024年6月10日）宣布，从6月10日起开始为包括铁路和电力系统在内的大 https://news.ca168.com/202406/132709.html 2024-06-12 |
| AOS 1200V aSiC MOSFET新增贴片型及模块封装选型 AOS推出三款新封装产品，AOBB040V120X2Q（1200V/40mOhm，D2PAK-7L 表面贴装封装）、AOGT020V120X2（1200V/20mOhm，GTPAK封装）以 https://news.ca168.com/202406/132655.html 2024-06-07 |
| 新品 | 适用于 DC-DC 应用的创新紧凑型半桥 MOSFET AONG36322 XSPairFET 封装尺寸紧凑，实现更高效的高功率系统设计，为空间受限型 DC-DC 降压应用提供了领先的解决方案。日前，集 https://news.ca168.com/202405/132417.html 2024-05-24 |
| 【论文】基于NX封装的低杂感SiC MOSFET模块 功率模块从硅IGBT技术过渡到基于SiC MOSFET技术是不可避免的。然而，从硅IGBT时代留下来的外形尺寸偏好仍然阻碍着SiC技术的商业 https://news.ca168.com/202405/132120.html 2024-05-11 |
| 新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模块的数字驱动评估板 评估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以帮助客户快速启动基于2kV碳化硅MOSFET样机的特性测试。评估板使用EiceDRIVER 1ED38x0Mc12M数字驱动 https://news.ca168.com/202405/132068.html 2024-05-09 |