找到相关信息约219条搜索结果
| 光储系统高压化升级，2000V SiC MOSFET开始走进市场 功率SiC器件目前最大的应用市场是电动汽车。在汽车应用中，电动汽车的母线电压普遍在400V左右，因此在主驱等部件中只需要用到75 https://news.ca168.com/202405/132060.html 2024-05-09 |
| 安建半导体 SGT MOSFET 采用先进热性能封装 TOLT, DFN5x6 DSC ，针对大电流高功率应用 近年來，工业及消费市场对于系统的要求不断提高，为达到更优秀的效率、可靠性及热性能，MOSFET作为功率核心部件担当着非常重要 https://news.ca168.com/202405/131980.html 2024-05-06 |
| 英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7 【2024年4月15日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术OptiMO https://news.ca168.com/202404/131516.html 2024-04-15 |
| 英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10TTSC顶部冷却封装， 【2024年4月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用OptiMOSMOSFET技术的SSO10T https://news.ca168.com/202404/131487.html 2024-04-12 |
| 新品 | XSPairFET™ 升降压 MOSFET AONZ66412XSPairFET 占地面积紧凑，可简化 PCB板内设计，有助于提高功率密度，同时满足高效Type C应用性能需求。日前，集设计、 https://news.ca168.com/202403/131244.html 2024-03-27 |
| 英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET， 以更高的功率密度和效率树立行业新标准 【2024年3月20日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列， https://news.ca168.com/202403/131116.html 2024-03-21 |
| 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电 3月19日，英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功 https://news.ca168.com/202403/131105.html 2024-03-20 |
| 英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展 【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET https://news.ca168.com/202403/130968.html 2024-03-14 |
| 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度 【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新C https://news.ca168.com/202403/130936.html 2024-03-14 |
| 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/ OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新 https://news.ca168.com/202403/130893.html 2024-03-12 |