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| 新品 | 适用于 DC-DC 应用的创新紧凑型半桥 MOSFET AONG36322 XSPairFET 封装尺寸紧凑，实现更高效的高功率系统设计，为空间受限型 DC-DC 降压应用提供了领先的解决方案。日前，集 https://news.ca168.com/202405/132417.html 2024-05-24 |
| 【论文】基于NX封装的低杂感SiC MOSFET模块 功率模块从硅IGBT技术过渡到基于SiC MOSFET技术是不可避免的。然而，从硅IGBT时代留下来的外形尺寸偏好仍然阻碍着SiC技术的商业 https://news.ca168.com/202405/132120.html 2024-05-11 |
| 新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模块的数字驱动评估板 评估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以帮助客户快速启动基于2kV碳化硅MOSFET样机的特性测试。评估板使用EiceDRIVER 1ED38x0Mc12M数字驱动 https://news.ca168.com/202405/132068.html 2024-05-09 |
| 光储系统高压化升级，2000V SiC MOSFET开始走进市场 功率SiC器件目前最大的应用市场是电动汽车。在汽车应用中，电动汽车的母线电压普遍在400V左右，因此在主驱等部件中只需要用到75 https://news.ca168.com/202405/132060.html 2024-05-09 |
| 安建半导体 SGT MOSFET 采用先进热性能封装 TOLT, DFN5x6 DSC ，针对大电流高功率应用 近年來，工业及消费市场对于系统的要求不断提高，为达到更优秀的效率、可靠性及热性能，MOSFET作为功率核心部件担当着非常重要 https://news.ca168.com/202405/131980.html 2024-05-06 |
| 英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS™ 7 【2024年4月15日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术OptiMO https://news.ca168.com/202404/131516.html 2024-04-15 |
| 英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10TTSC顶部冷却封装， 【2024年4月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用OptiMOSMOSFET技术的SSO10T https://news.ca168.com/202404/131487.html 2024-04-12 |
| 新品 | XSPairFET™ 升降压 MOSFET AONZ66412XSPairFET 占地面积紧凑，可简化 PCB板内设计，有助于提高功率密度，同时满足高效Type C应用性能需求。日前，集设计、 https://news.ca168.com/202403/131244.html 2024-03-27 |
| 英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET， 以更高的功率密度和效率树立行业新标准 【2024年3月20日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列， https://news.ca168.com/202403/131116.html 2024-03-21 |
| 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电 3月19日，英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功 https://news.ca168.com/202403/131105.html 2024-03-20 |