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| 英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10TTSC顶部冷却封装， 【2024年4月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用OptiMOSMOSFET技术的SSO10T https://news.ca168.com/202404/131487.html 2024-04-12 |
| 新品 | XSPairFET™ 升降压 MOSFET AONZ66412XSPairFET 占地面积紧凑，可简化 PCB板内设计，有助于提高功率密度，同时满足高效Type C应用性能需求。日前，集设计、 https://news.ca168.com/202403/131244.html 2024-03-27 |
| 英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET， 以更高的功率密度和效率树立行业新标准 【2024年3月20日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列， https://news.ca168.com/202403/131116.html 2024-03-21 |
| 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电 3月19日，英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功 https://news.ca168.com/202403/131105.html 2024-03-20 |
| 英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展 【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET https://news.ca168.com/202403/130968.html 2024-03-14 |
| 英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度 【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新C https://news.ca168.com/202403/130936.html 2024-03-14 |
| 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/ OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新 https://news.ca168.com/202403/130893.html 2024-03-12 |
| 新品｜160V半桥SOI半桥驱动器驱动100V MOSFET评估套件 用于电池供电应用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1评估套件包括一块三相逆变器功率板，该功率板带有额定电压为160V的2ED2748S01G（3x3 https://news.ca168.com/202403/130892.html 2024-03-12 |
| 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统 【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅 https://news.ca168.com/202403/130881.html 2024-03-12 |
| 东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块 3月6日，东芝电子元件及存储装置株式会社（下文简称东芝）宣布，公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅（SiC）1700 V、 https://news.ca168.com/202403/130876.html 2024-03-11 |