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| 瞻芯电子与浙江大学联合发表10kV SiC MOSFET研发成果，助力高压应用技术革新 6月4日，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商瞻芯电子，在第37届国际功率半导体器件和集成电路研讨会（ISPSD2025 https://news.ca168.com/202506/138583.html 2025-06-07 |
| 采用电平位移驱动器碳化硅SiC MOSFET交错调制图腾柱5kW PFC评估板 电子设备会污染电网，导致电网失真，威胁着供电系统的稳定性和效率。为此，电源设计中需要采用先进的功率因数校正（PFC）电路。 https://news.ca168.com/202505/138307.html 2025-05-23 |
| 英飞凌OptiMOS™ 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准 【2025年5月16日, 德国慕尼黑讯】随着图形处理器（GPU）的性能日益强大，对板级电源的要求也越来越高。中间总线转换器（IBC）可 https://news.ca168.com/202505/138127.html 2025-05-16 |
| 内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块 被SMA的太阳能系统采用 全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称SMA）在其太阳能系统新产品Sunny Central FLE https://news.ca168.com/202505/138052.html 2025-05-14 |
| 英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术， 实现更加智能、快速的固态配电 【2025年5月6日, 德国慕尼黑讯】为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在 https://news.ca168.com/202505/137903.html 2025-05-07 |
| 新品 | AOS第三代1200V aSiC MOSFET 新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品在高负载条件下能够保持较低的传导损耗，其开关品质因数（FOM）显著提升高达30%。在强 https://news.ca168.com/202505/137902.html 2025-05-06 |
| 半桥1200V CoolSiC™ MOSFET EconoDUAL™ 3模块 采用EconoDUAL 3封装的1200V/1.4mΩ半桥模块。芯片为SiC MOSFET M1H增强型1代、集成NTC温度传感器和PressFIT针脚。还可提供 https://news.ca168.com/202504/137587.html 2025-04-23 |
| Vishay 新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N6 https://news.ca168.com/202504/137458.html 2025-04-17 |
| 英飞凌推出Power PROFET™ + 24/48V超低电阻智能功率开关系列， 优化汽车配电系统 【2025年4月14日, 德国慕尼黑讯】随着汽车结构向混动和电动车型过渡，传统电池系统越来越多地被48 V电源补充或取代。由于12 V和 https://news.ca168.com/202504/137358.html 2025-04-14 |
| 英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS™ 8提升能效并降低 MOSFET相关成本 【2025年3月27日,德国慕尼黑讯】Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX https://news.ca168.com/202504/137096.html 2025-04-01 |