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| 东芝新器件结构问世，可显著提高SiC MOSFET的性能 目前碳化硅（SiC）被广泛视为下一代功率器件的材料，因为它比硅的电压更高，损耗更低。然而，虽然碳化硅器件具有很大的发展前景 https://news.ca168.com/202107/111621.html 2021-07-09 |
| ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ” 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备，开发出内置170 https://news.ca168.com/202106/111197.html 2021-06-17 |
| SiC-MOSFET 芯片技术的发展 1. 介绍 半导体芯片技术的发展使得功率器件能够有效的利用电能，比如晶闸管和二极管，在电压和电流控制方面起到了关键的作用。 https://news.ca168.com/202106/111126.html 2021-06-11 |
| 安森美半导体推出全碳化硅MOSFET模块解决方案！用于电动汽车充电 6月7日，安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一对1200 V全碳化硅(SiC)MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其产品系列，从而适应充 https://news.ca168.com/202106/111123.html 2021-06-11 |
| 皮尔磁：工业4.0系统的“左膀右臂”——Safety & Security 随着自动化向网络化的发展，企业毫无疑问将面临新的安全挑战，在工业4.0系统中要确保不会因为残留的安全漏洞而产生新的安全风险 https://news.ca168.com/202104/110181.html 2021-04-21 |
| 采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET 引言人们普遍认为，SiC MOSFET可以实现非常快的开关速度，有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗。然而，由于传统 https://news.ca168.com/202101/109478.html 2021-01-26 |
| 【论文】一种新型1.2kV SiC MOSFET器件的精确SPICE模型的开发 一种新型1.2kV SiC MOSFET器件的精确SPICE模型的开发TakashiMasuhara1, Takeshi Horiguchi1,Yasushige Mukunoki1,Tomohide Tera https://news.ca168.com/202101/109366.html 2021-01-09 |
| 专用于在混合动力汽车电动汽车中实现高频工作和稳健性的汽车类GaN FET 当前的消费者对于续航里程、充电时间和性价比等问题越来越关注，为了加快电动汽车(EV)的采用，全球的汽车制造商都迫切需要增加电 https://news.ca168.com/202012/109259.html 2020-12-28 |
| 专用于在混合动力汽车电动汽车中实现高频工作和稳健性的汽车类GaN FET 这是一个一切尽在掌握的时代，这也是一个思维需要无限拓展的时代，在确定性与不确定性交融的时代当中，我们如何向前？为此，我们 https://news.ca168.com/202012/109252.html 2020-12-28 |
| 三菱电机推出4引脚 N系列 1200V SiC-MOSFET 背景面对日益增长的节能和环保意识的需求，SiC功率半导体因其显著降低功率损耗的潜力而受到越来越多的关注。三菱电机自2010年将 https://news.ca168.com/202012/109199.html 2020-12-21 |