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| 3.3kV传统SiC MOSFET与下一代集成SBD的SiC MOSFET电气特性对比研究 作者：三菱电机功率器件制作所T. MurakamiK. SadamatsuM. ImaizumiE. Suekawa三菱电机先端技术研究中心S.Hino 三菱电机持续不 https://news.ca168.com/202009/108033.html 2020-09-28 |
| Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET，可提高能效和功率密度 器件采用PowerPAK SO－8单体封装，栅极电荷与导通电阻乘积优值系数达到同类产品最佳水平 宾夕法尼亚、MALVERN 2020年8月17日 日 https://news.ca168.com/202008/107140.html 2020-08-17 |
| 他来了！三菱电机SiC MOSFET仿真技术来了！ 背 景 SiC功率半导体器件凭借其显著降低功率损耗等特性获得众多关注，其市场需求正不断攀升。2010年，三菱电机开始将SiC功率半 https://news.ca168.com/202007/106867.html 2020-07-31 |
| Vishay推出新款30 V MOSFET半桥功率级模块，输出电流提高11 % 宾夕法尼亚、MALVERN 2020年7月9日 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款30 V n沟道 https://news.ca168.com/202007/106481.html 2020-07-13 |
| 尚阳通高速IGBT与MOSFET的应用特性比较 尚阳通推出650V沟槽栅场效应截止型超高速（FSU）系列IGBT。此系列产品专为高频开关电源应用进行了优化设计；较传统方案降低了开 https://news.ca168.com/202007/106383.html 2020-07-07 |
| 瑞萨电子推出高可靠高性能100V半桥MOSFET驱动器 强健的HIP221x驱动器具备高速和高压特性 延续瑞萨MOSFET驱动器在工业和消费应用领域的25年辉煌 2020 年 6 月 29 日，日本 https://news.ca168.com/202006/106219.html 2020-06-29 |
| ROHM开发出业界先进的第4代低导通电阻SiC MOSFET 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出1200V 第4代SiC MOSFET※1，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力 https://news.ca168.com/202006/106119.html 2020-06-22 |
| 基于MOSFET低压逆变器设计的注意事项 随着乘用车的电动化，众多的应用开始采用零排放的理念。应用的多样性也意味着电机和控制器系统的多样性。例如，汽车或工业电力驱 https://news.ca168.com/202006/106111.html 2020-06-22 |
| 这种先进MOSFET在中国前途无量？ 本周，一则新闻引起了一些波澜，本土功率器件企业捷捷微电总经理孙闫涛表示，该公司在MOSFETSGT技术方面具有一定优势，国内 https://news.ca168.com/202006/105963.html 2020-06-12 |
| 直播预告：英飞凌碳化硅MOSFET特性及驱动设计 英飞凌碳化硅MOSFET特性及驱动设计直播将于5月26日（周二）10:00准时开始。内容包括施工详细分析高频功率电路PCB设计要点，一个 https://news.ca168.com/202005/105651.html 2020-05-25 |