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三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET
新型芯片结构能有效防止浪涌电流集中在特定芯片上图1新开发的芯片结构(上:芯片截面;下:并联芯片)三菱电机集团近日(2023年6月
https://news.ca168.com/202306/125682.html    2023-06-07

东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备
东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFETSSM14N956L,该器件可用于移动设备
https://news.ca168.com/202305/125296.html    2023-05-18

功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考
4月24日,东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布,在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率半导体
https://news.ca168.com/202304/124869.html    2023-04-26

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称SiC SBD)已被成功应用于大功率模
https://news.ca168.com/202304/124676.html    2023-04-19

东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性,有助于提高电源效率
中国上海,2023年3月30日东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---TPH9R00CQ5,其采用
https://news.ca168.com/202303/124225.html    2023-03-31

Qorvo® 发布 TOLL 封装的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
中国北京,2023 年3 月21 日 全球领先的连接和电源解决方案供应商Qorvo(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,将展示一种全新的无引线
https://news.ca168.com/202303/124052.html    2023-03-23

东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET,支持车载设备对更大电流的需求
东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)宣布,推出采用新型L-TOGLTM(大型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装的车载40V N沟道功率MOSF
https://news.ca168.com/202302/122947.html    2023-02-03

MOSFET恐将面临价格压力
PC、消费性市况在2022年第四季需求持续疲弱,且今年第一季客户端仍旧处于保守态度,使得MOSFET库存去化速度将比原先预期更加缓慢
https://news.ca168.com/202301/122598.html    2023-01-03

意法半导体发布五款新一代SiC MOSFET功率模组
近日,意法半导体(ST)宣布,再度扩展碳化硅(SiC)产品线,推出了五款新一代SiC MOSFET 功率模组,其涵盖多种不同额定功率,且
https://news.ca168.com/202212/122484.html    2022-12-26

2000V 60A CoolSiC™ MOSFET EasyPACK™ 3B首发产品
新品2000V 60A CoolSiC MOSFETEasyPACK 3B首发产品采用2000V SiC MOSFET的4路1500V光伏系统升压电路,每路电流IDN=60A产品型号:
https://news.ca168.com/202212/122089.html    2022-12-06

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