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| 意法半导体首批8英寸碳化硅晶圆问世，SiC热度高涨！ 今日，意法半导体（简称ST）宣布，ST瑞典北雪平工厂制造出首批8英寸SiC晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型 https://news.ca168.com/202107/111986.html 2021-07-28 |
| 无锡将再添2条SiC模块封装线？ 7月17日，无锡第三代半导体版图再扩充，2亿元的利普思第三代功率半导体SiC模块封装线项目在无锡滨湖区宣布开工。Source：无锡滨 https://news.ca168.com/202107/111849.html 2021-07-21 |
| 募资5亿！又一家上市公司加码SiC功率器件 7月19日，民德电子向特定对象发行A股股票预案，募资总额不超过5亿元，加码SiC领域。据悉，碳化硅功率器件的研发和产业化项目、适 https://news.ca168.com/202107/111817.html 2021-07-20 |
| 年产22万片SiC！这个35亿碳化硅芯片项目签约合肥 7月18日，在2021上海金华周开幕式上，16个项目集中签约，包括总投资35亿元的世纪金光第三代半导体碳化硅芯片项目。年产22万片Si https://news.ca168.com/202107/111816.html 2021-07-20 |
| 基于SiC的量子器件获重大突破！ 中国科学院院士、中国科学技术大学教授郭光灿团队在碳化硅色心自旋操控研究中取得重要进展。该团队李传锋、许金时等人与匈牙利魏 https://news.ca168.com/202107/111700.html 2021-07-14 |
| 东芝新器件结构问世，可显著提高SiC MOSFET的性能 目前碳化硅（SiC）被广泛视为下一代功率器件的材料，因为它比硅的电压更高，损耗更低。然而，虽然碳化硅器件具有很大的发展前景 https://news.ca168.com/202107/111621.html 2021-07-09 |
| ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列” 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（Hybrid IGBT）RGWxx65C系 https://news.ca168.com/202107/111613.html 2021-07-09 |
| 晶盛机电SiC长晶炉成功生长6英寸晶体，8英寸正在研发！ 7月5日，晶盛机电在互动平台上回复投资者提问，表示，公司近年布局的第三代半导体材料碳化硅的研发取得关键进展，成功生长出6英 https://news.ca168.com/202107/111545.html 2021-07-06 |
| SiC上场时刻到？能源局局长：着重解决电力芯片“卡脖子”问题 今日，国家能源局局长章建华发布文章《奋力谱写统筹电力发展和安全新篇章》，其中提到，十四五以至未来更长一段时期，我国将深入 https://news.ca168.com/202107/111439.html 2021-07-01 |
| 汽车龙头携手半导体巨头，抢占碳化硅（SiC）产能 日前，欧洲汽车龙头企业雷诺集团和半导体巨头意法半导体宣布达成了战略合作，确保雷诺从2026年开始，其纯电动和混合动力汽车可以 https://news.ca168.com/202106/111431.html 2021-06-30 |