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| 天行智控 | 智驭生产力：宝信AIC赋能工业新质升级 当前，工业制造领域仍面临着诸多亟待解决的痛点。在不少生产工序中，人工主操依旧占据主导地位，主操员需时刻紧盯着多个系统 https://news.ca168.com/202509/140707.html 2025-09-30 |
| ROHM推出二合一SiC模块“DOT-247”，可实现更高的设计灵活性和功率密度 中国上海，2025年9月22日全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出二合一结构的SiC模块DOT-247，该产品 https://news.ca168.com/202509/140694.html 2025-09-29 |
| 罗姆与英飞凌携手推进SiC功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度 中国上海，2025年9月25日全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，与英飞凌科技股份公司（总部位于德国诺伊比 https://news.ca168.com/202509/140691.html 2025-09-29 |
| 英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性， 为客户带来更高灵活度 英飞凌与罗姆签署谅解备忘录，约定互为采用特定碳化硅（SiC）半导体产品的客户提供第二供应商支持未来，客户可在英飞凌与罗姆各 https://news.ca168.com/202509/140658.html 2025-09-26 |
| 第20讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（2） 栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大 https://news.ca168.com/202509/140586.html 2025-09-18 |
| 第19讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（1） 下面以采用光耦隔离的基本栅极驱动电路（图1）为例来说明。 https://news.ca168.com/202509/140585.html 2025-09-18 |
| 第18讲：SiC MOSFET的动态特性 SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加 https://news.ca168.com/202509/140584.html 2025-09-18 |
| 第17讲：SiC MOSFET的静态特性 图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低 https://news.ca168.com/202509/140583.html 2025-09-18 |
| 第16讲：SiC SBD的特性 SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而 https://news.ca168.com/202509/140582.html 2025-09-18 |
| 万可技术赋能Evolonic无人机系统 守护森林的智能卫士 在全球范围内，森林火灾正日益成为严重的环境问题。据统计，2024年全世界共有670万公顷森林被毁，对生态系统造成了灾难性后 https://news.ca168.com/202509/140560.html 2025-09-17 |