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| Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 10 月10 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8m?，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。 https://news.ca168.com/201310/25959.html 2013-10-11 |
| SILICON LABS的WONDER GECKO微控器开发套件加速DSP智能传感系统设计 德克萨斯，奥斯汀-2013年7月10号，高性能模拟密集型混合信号IC领域的领导者芯科实验室（Silicon Labs）(纳斯达克股票代码: SLAB)，今天展示了FM32 Wonder Gecko 系列微控器产品的开发套件和应用软件，该开发套件及相关应用软件由刚被Silicon Labs收购的Energy Micro公司开发。 https://news.ca168.com/201307/23326.html 2013-07-18 |
| SILICON LABS收购低功耗ARM CORTEX微控制器及射频产品的领头企业ENERGY MICRO 国德克萨斯州奥斯汀市，挪威奥斯陆-2013年7月1日- Silicon Labs（纳斯达克股票代码：SLAB）高性能模拟密集型混合信号IC领域的领导者Silicon Labs公司，今天宣布其签署了一项收购总部位于挪威奥斯陆的Energy Micro公司的最终协议。 https://news.ca168.com/201307/22634.html 2013-07-02 |
| Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 4 月23 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。 https://news.ca168.com/201304/19956.html 2013-04-23 |
| Vishay器件荣获《中国电子商情》的编辑选择奖 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 3 月21 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，该公司的20V P沟道功率MOSFET Si7655DN和高性能镀金属直流聚丙烯薄膜电容器MKP1848S分别荣获《中国电子商情》(CEM)杂志2012年度编辑选择奖的"中国最具竞争力功率器件产品奖"和"中国最具竞争力电容器产品奖"。 https://news.ca168.com/201303/18733.html 2013-03-21 |
| Vishay Siliconix发布用于功率MOSFET的免费在线仿真工具 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 3 月5 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。 https://news.ca168.com/201303/18134.html 2013-03-06 |
| Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET®功率MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT?封装。 https://news.ca168.com/201301/16504.html 2013-01-14 |
| Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封装的功率MOSFET 新款100V N沟道TrenchFET 功率MOSFET采用ThunderFET技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m?的低导通电阻 https://news.ca168.com/201301/16343.html 2013-01-10 |
| Vishay Siliconix 推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201212/14848.html 2012-12-07 |
| 研祥智能参展美国ESC SV 2012博览会 3月26日至29日，特种计算机领导厂商研祥智能参加了在美国加州圣荷西 McEnery 会议中心举办的ESC Silicon Valley2012博览会。市 https://news.ca168.com/201203/5494.html 2012-03-30 |