找到相关信息约7条搜索结果
| Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 10 月10 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8m?，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。 https://news.ca168.com/201310/25959.html 2013-10-11 |
| Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 4 月23 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。 https://news.ca168.com/201304/19956.html 2013-04-23 |
| Vishay器件荣获《中国电子商情》的编辑选择奖 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 3 月21 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，该公司的20V P沟道功率MOSFET Si7655DN和高性能镀金属直流聚丙烯薄膜电容器MKP1848S分别荣获《中国电子商情》(CEM)杂志2012年度编辑选择奖的"中国最具竞争力功率器件产品奖"和"中国最具竞争力电容器产品奖"。 https://news.ca168.com/201303/18733.html 2013-03-21 |
| Vishay Siliconix发布用于功率MOSFET的免费在线仿真工具 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 3 月5 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS产品的免费在线热仿真工具ThermaSim 3.0版。 https://news.ca168.com/201303/18134.html 2013-03-06 |
| Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET®功率MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。这些MOSFET具有业内最低的导通电阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT?封装。 https://news.ca168.com/201301/16504.html 2013-01-14 |
| Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封装的功率MOSFET 新款100V N沟道TrenchFET 功率MOSFET采用ThunderFET技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m?的低导通电阻 https://news.ca168.com/201301/16343.html 2013-01-10 |
| Vishay Siliconix 推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201212/14848.html 2012-12-07 |