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FROMM孚兰钢带手动打包机Dynamic 2000
搭配的包装材料:钢带拉紧力:常规负载可达850 牛顿/平方毫米打包带尺寸:12.7 20.0 x 0.38 0.58 mm密封型:免扣式结合点强度:
https://news.ca168.com/202403/131146.html    2024-03-22

破解电动汽车充电难题,这款SiC功率模块有绝招
安森美(onsemi)全新推出的EliteSiC功率集成模块,可为电动汽车直流超快速充电桩提供双向充电功能。与传统的硅基IGBT解决方
https://news.ca168.com/202403/131142.html    2024-03-22

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电
3月19日,英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功
https://news.ca168.com/202403/131105.html    2024-03-20

国产SiC衬底的突围之战
  2024年2月27日,由重投天科建设运营的第三代半导体材料产业园在宝安区正式启用,此举标志着深圳乃至广东省第三代半导体产业
https://news.ca168.com/202403/131092.html    2024-03-20

投资超50亿!这一8英寸SiC工厂将于4月开建
  据日经网消息,三菱电机将于4月开始在熊本县菊池市建设新SiC厂房。  三菱电机将投资约1,000亿日元(折合人民币约48.56亿元
https://news.ca168.com/202403/131058.html    2024-03-19

瑞森半导体在SiC MOS/HV MOS在电焊机上的应用
  一、前言  电焊机是指为焊接提供一定特性的电源的电器,其工作原理:在接触到焊接物与被焊接物时,发生短路,短路产生高温
https://news.ca168.com/202403/131011.html    2024-03-15

英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
【2024年3月14日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET
https://news.ca168.com/202403/130968.html    2024-03-14

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
【2024年3月13日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新C
https://news.ca168.com/202403/130936.html    2024-03-14

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/ OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新
https://news.ca168.com/202403/130893.html    2024-03-12

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2, 推动低碳化的高性能系统
【2024年3月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅
https://news.ca168.com/202403/130881.html    2024-03-12

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