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| 适用于最高3300V的SiC模块多并联门极驱动器 第三代宽禁带半导体SiC MOSFET越来越广泛的运用于工业领域，相比于普通的 Si 半导体功率器件，其具有耐高温，耐高压，低损耗和高 https://news.ca168.com/202407/133100.html 2024-07-03 |
| AI赋能工业制造 H3C iConnecting工业互联网技术战略升级 6月28日，2024年世界移动通信大会上海站（MWC上海）举办释放工业人工智能在数智制造领域的潜力主题峰会，紫光股份旗下新华三 https://news.ca168.com/202407/133073.html 2024-07-02 |
| 三安 第五代 1200V SiC SBD 高效、小型化与高浪涌的优选 在高功率应用中，碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）相比于硅基器件，具有更加耐高压、耐高温和没有反向恢复电荷等优势。三安半 https://news.ca168.com/202406/132981.html 2024-06-27 |
| 8英寸SiC单晶材料：三安半导体引领xEV技术前沿 在全球新能源汽车行业的蓬勃发展中，电驱动系统及SIC功率半导体市场迎来了前所未有的发展机遇。2024年第四届全球xEV驱动系统技术 https://news.ca168.com/202406/132951.html 2024-06-26 |
| 让SiC成本再降10%的新技术 日本中央硝子（Central Glass）开发出了用于功率半导体尖端材料「碳化硅（SiC）」基板的新制造技术。artience（原日本东洋油墨S https://news.ca168.com/202406/132948.html 2024-06-26 |
| Coherent高意：激光再次拯救MicroLED 显示 激光辅助键合绕过了MicroLED显示走向量产制造的一个障碍。 MicroLED 显示作为LED领域最重要的发展历程之一，其魅力除了美观之 https://news.ca168.com/202406/132954.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC™ MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 英飞凌官微 随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这 https://news.ca168.com/202406/132960.html 2024-06-26 |
| 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率 【2024年6月25日，德国慕尼黑讯】随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定 https://news.ca168.com/202406/132939.html 2024-06-26 |
| 瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产 近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称瞻芯电子）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩSiC MOSFET产品（IV3Q12013T4 https://news.ca168.com/202406/132901.html 2024-06-24 |