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英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET, 以更高的功率密度和效率树立行业新标准
【2024年3月20日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOS 6 200 V MOSFET产品系列,
https://news.ca168.com/202403/131116.html    2024-03-21

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V 适用电动汽车充电
3月19日,英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功
https://news.ca168.com/202403/131105.html    2024-03-20

西门子S120新增EtherCAT接口,通讯更方便!
  【导读】西门子S120新增的EtherCAT接口通讯板正式发布。  现在很多品牌的PLC都支持EtherCat协议,比如倍福、欧姆龙和汇川
https://news.ca168.com/202403/131033.html    2024-03-18

英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
【2024年3月14日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出750V G1分立式CoolSiC MOSFET
https://news.ca168.com/202403/130968.html    2024-03-14

新闻发布|灵活用于DALI-2的EtherCAT通信模块
  倍福的EL6821EtherCAT端子模块最多可连接64个DALI/DALI-2驱动器和64个DALI-2输入设备。通过TwinCAT3SystemManager,可以轻松
https://news.ca168.com/202403/130950.html    2024-03-14

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V, 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
【2024年3月13日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新C
https://news.ca168.com/202403/130936.html    2024-03-14

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/ OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新
https://news.ca168.com/202403/130893.html    2024-03-12

新品|160V半桥SOI半桥驱动器驱动100V MOSFET评估套件
用于电池供电应用(BPA)的EVAL-2ED2748S01GM1评估套件包括一块三相逆变器功率板,该功率板带有额定电压为160V的2ED2748S01G(3x3
https://news.ca168.com/202403/130892.html    2024-03-12

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2, 推动低碳化的高性能系统
【2024年3月12日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅
https://news.ca168.com/202403/130881.html    2024-03-12

东芝开始量产第三代1700V SiC MOSFET模块
3月6日,东芝电子元件及存储装置株式会社(下文简称东芝)宣布,公司已开始批量生产用于工业设备的第三代碳化硅(SiC)1700 V、
https://news.ca168.com/202403/130876.html    2024-03-11

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