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| Vishay推出新款Power Metal Strip®电阻 宾夕法尼亚、MALVERN - 2012 年 12 月20 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出2010外形尺寸的新款表面贴装Power Metal Strip?电阻---WSLP2010。该电阻具有2W的高功率等级和0.001Ω的极低阻值，以及0.5%的稳定电阻容差。 https://news.ca168.com/201212/15589.html 2012-12-20 |
| Vishay推出新款低外形、高电流电感器 IHLP®电感器采用8787外形尺寸，额定电流达180A，可在+155℃高温下工作。 https://news.ca168.com/201212/15335.html 2012-12-17 |
| Vishay发布新款车用MPMA精密配对电阻网络 电阻分压器采用小尺寸表面贴装SOT-23封装并通过AEC-Q200认证，具有±0.05%的严格比例容差和±2ppm/℃的TCR跟踪. https://news.ca168.com/201212/15150.html 2012-12-13 |
| Vishay推出新款精密MELF电阻样品套件 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出实验室样品套件，让设计者触手可及精密MELF电阻的常用阻值，简化各种电子系统的原型，并加快上市时间。 https://news.ca168.com/201212/15078.html 2012-12-12 |
| Vishay Siliconix 推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET®功率MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应用，是Vishay采用兼具低电阻和高电流等级的7脚D2PAK封装的首款功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201212/14848.html 2012-12-07 |
| Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28%，同时保持相同的PCB布版样式。 https://news.ca168.com/201211/14338.html 2012-11-28 |
| Vishay将参加11月24日在西安举行的2012西部电源技术创新论坛 宾夕法尼亚、MALVERN—2012 年11月23日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，将参加11月24日在西安皇后酒店举行的中国西部电源技术论坛。 https://news.ca168.com/201211/14065.html 2012-11-23 |
| Vishay发布高功率Power Metal Strip® 电池分流电阻 日前，Vishay 宣布，推出新款采用带有4脚连接器的新款模塑外壳Power Metal Strip®电池分流电阻--- WSBM8518。 https://news.ca168.com/201211/14014.html 2012-11-22 |
| Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器 日前，Vishay 宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面贴装封装的新型光隔离式MOSFET驱动器--- VOM1271。 https://news.ca168.com/201211/13615.html 2012-11-13 |
| Vishay发布用于太阳能电池的卡扣式功率铝电容器 宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 11 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列卡扣式功率铝电容器---193 PUR-SI Solar，其在50℃下额定电压达500V，在105℃下达到450V。 https://news.ca168.com/201211/13361.html 2012-11-05 |