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| Vishay发布通过DLA Drawing 13017认证的可用于航空和航天应用的液钽电容器 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 10 月17 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用通过Defense Logistics Agency(DLA) drawing 13017认证的玻璃钽密封的新款液钽电容器--?-13017电解电容器 https://news.ca168.com/201310/26163.html 2013-10-17 |
| Vishay推出新款精密薄膜片式电阻实验室样品套件 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，该公司现在提供特定精密薄膜片式电阻的实验室样品套件 https://news.ca168.com/201310/26087.html 2013-10-16 |
| Vishay 联袂中国电源学会举办电源专题研讨会 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，将与中国电源学会合作于10月16日举办电源专题研讨会，该研讨会内容涵盖功率MOSFET、电源模块、光电器件和二极管，同期还将有多位业内专家出席并做宣讲。 https://news.ca168.com/201310/26047.html 2013-10-14 |
| Vishay联袂中国电源学会举办电源专题研讨会 2013 年10 月14日，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，将与中国电源学会合作于10月16日举办电源专题研讨会，该研讨会内容涵盖功率MOSFET、电源模块、光电器件和二极管，同期还将有多位业内专家出席并做宣讲。 https://news.ca168.com/201310/26046.html 2013-10-14 |
| Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 10 月10 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8m?，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。 https://news.ca168.com/201310/25959.html 2013-10-11 |
| Vishay发布用于安全认证应用的新系列SMD MLCC 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于安全认证应用的新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ Safety。该系列器件采用C0G(NP0)和X7R电介质，每款器件提供X1/Y2和X2安全分级，电压达到250VAC。 https://news.ca168.com/201309/25669.html 2013-09-26 |
| Vishay荣获慧聪网2013年度电子元件类“最具贡献企业奖” 宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 9 月25 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，荣获中国电子元器件行业的门户网站---慧聪网评选出的2013电子行业十大电子元件类"最具贡献企业奖"。 https://news.ca168.com/201309/25613.html 2013-09-25 |
| Vishay发布用于商业应用的低外形SMPD封装的新款TMBS®整流器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16个新款45V、50V、60V、100V和120V器件，扩充其TMBS®Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10A至60A的电流等级和极低的正向压降，针对商业应用。 https://news.ca168.com/201309/25113.html 2013-09-09 |
| Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET®Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。 https://news.ca168.com/201309/25025.html 2013-09-05 |
| Vishay的新款MOS势垒肖特基整流器具有10A和15A器件中业内最低的正向压降 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款高电流密度的50V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器---V10PN50和V15PN50。这两款器件是业内首批在10A和15A下的典型正向压降低至0.40V和0.41V，兼具优化的漏电流的器件，采用薄形TO-277A(SMPC)封装，可用于智能手机和平板电脑的充电器。 https://news.ca168.com/201309/25012.html 2013-09-05 |