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Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖
  宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 10 月10 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET,在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8m?,也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。
https://news.ca168.com/201310/25959.html    2013-10-11

Vishay器件荣获《中国电子商情》的编辑选择奖
宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 3 月21 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,该公司的20V P沟道功率MOSFET Si7655DN和高性能镀金属直流聚丙烯薄膜电容器MKP1848S分别荣获《中国电子商情》(CEM)杂志2012年度编辑选择奖的"中国最具竞争力功率器件产品奖"和"中国最具竞争力电容器产品奖"。
https://news.ca168.com/201303/18733.html    2013-03-21

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