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| 第20讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（2） 栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大 https://news.ca168.com/202509/140586.html 2025-09-18 |
| 第19讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（1） 下面以采用光耦隔离的基本栅极驱动电路（图1）为例来说明。 https://news.ca168.com/202509/140585.html 2025-09-18 |
| 第18讲：SiC MOSFET的动态特性 SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加 https://news.ca168.com/202509/140584.html 2025-09-18 |
| 第17讲：SiC MOSFET的静态特性 图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低 https://news.ca168.com/202509/140583.html 2025-09-18 |
| 第16讲：SiC SBD的特性 SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而 https://news.ca168.com/202509/140582.html 2025-09-18 |
| ASCO EF8320G202电磁阀深度解析 EF8320G202凭借其直动式设计、快速响应、耐腐蚀性及防爆性能，成为工业自动化、能源、环保及特殊工况领域的优选方案。 https://news.ca168.com/202509/140581.html 2025-09-18 |
| ASCO SCG551A002MS 电磁阀 SCG551A002MS凭借其双控设计、快速响应、耐腐蚀性及防爆性能，成为工业自动化、能源、环保及特殊工况领域的优选方案。 https://news.ca168.com/202509/140580.html 2025-09-18 |
| ASCO EFG551A002MS电磁阀 EFG551A002MS凭借其双控设计、快速响应、耐腐蚀性及防爆性能，成为工业自动化、能源、环保及特殊工况领域的优选方案。 https://news.ca168.com/202509/140579.html 2025-09-18 |
| ASCO SCG8320G186电磁阀 SCG8320G186凭借其直动式/先导式设计、快速响应、耐腐蚀性及防爆性能，成为工业自动化、能源、环保及特殊工况领域的优选方案。 https://news.ca168.com/202509/140578.html 2025-09-18 |
| ASCO EF8320G200电磁阀深度解析 EF8320G200凭借其直动式/先导式设计、快速响应、耐腐蚀性及防爆性能，成为工业自动化、能源、环保及特殊工况领域的优选方案。 https://news.ca168.com/202509/140577.html 2025-09-18 |