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富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品
富士通半导体（上海）有限公司今日宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。
https://news.ca168.com/201307/23537.html 2013-07-24

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