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Vishay的Si7655DN MOSFET荣获今日电子杂志的Top-10电源产品奖
  宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 10 月10 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,其Si7655DN MOSFET荣获《今日电子》杂志的第十一届年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET,在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8m?,也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。
https://news.ca168.com/201310/25959.html    2013-10-11

Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
首款40V P沟道Gen III器件,首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET
https://news.ca168.com/201307/23183.html    2013-07-15

Vishay扩大应用于高温环境的表面贴装多层陶瓷片式电容器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,扩大其用于高温应用的VJ X8R系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)。为节省电路板空间,这些器件现在提供0402外形尺寸的产品。另外,0603和0805外形尺寸器件的电压提高到100V。
https://news.ca168.com/201307/22704.html    2013-07-03

Vishay推出业内最高性能热熔断器——率先实现55A高电流和+160℃高温下工作1000小时的能力
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业内首款具有55A高电流,可在+160℃高温下工作1000小时而不会出现意外故障的的热熔断器。这款Vishay Beyschlag HCTF系列中的新器件通过AEC-Q200认证,能够安全地分断高电流汽车应用中的电源。
https://news.ca168.com/201306/22524.html    2013-06-28

Vishay在2013中国电子展成都站将展出其最新的业界领先技术
  宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 6 月17 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将在6月20至22日成都世纪城新国际会展中心举行的2013中国电子展成都站(夏季会)上展出其全线技术方案。Vishay的展位在3号馆A214,展示亮点是其最新的业界领先的创新产品,包括无源元件、二极管、功率MOSFET、功率IC和光电子产品。
https://news.ca168.com/201306/21902.html    2013-06-17

Vishay Asia Pte Ltd荣获TTI Asia的钻石奖和优秀供应商奖
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd荣获了TTI Electronics Asia Pte Ltd的2012钻石奖和2012优秀供应商银奖。Vishay是全球最大分立半导体和被动电子元件制造商之一。
https://news.ca168.com/201306/21694.html    2013-06-09

Vishay推出新款超快二极管,优化系统开关损耗
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布11款新型Gen2 650V FRED Pt®超快二极管。“H”系列裸片器件适用于频率在40kHz以上的应用,具有极快的和软恢复的时间,以及低正向压降和反向峰值电流,可减少太阳能逆变器、UPS、电动汽车和混合动力汽车、电焊机、服务器和连续导通模式功率因数校正(CCM PFC)中的开关损耗。根据用户需求设计的“U”系列可用于频率最高为40kHz的应用,具有低得多的正向压降,可优化导通损耗。
https://news.ca168.com/201305/21338.html    2013-05-31

Vishay为汽车和工业应用,进一步强化精密薄膜片式电阻阵列性能
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,增强其ACAS 0606 AT和ACAS 0612 AT精密薄膜片式电阻阵列的性能,更严格的公差、相对公差和相对TCR达到新的S、T和U等级。
https://news.ca168.com/201305/20964.html    2013-05-22

Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围
宾夕法尼亚、MALVERN - 2013 年 4 月23 日 - 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP,将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。
https://news.ca168.com/201304/19956.html    2013-04-23

Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---Vishay Roederstein MKP386M。
https://news.ca168.com/201304/19386.html    2013-04-08

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