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| 皮尔磁：这些元器件真的会失效(III) 之前聊到了经验证的元件和经验证的安全原则，根据标准的要求，我们知道在安全回路中应用的执行机构，如中间继电器、接触器等，其 https://news.ca168.com/202312/129430.html 2023-12-11 |
| X-86m2和F-86：Swissbit推出全新的3D-NAND SATA III产品 具有极高可靠性的用于工业应用的M.2 2242和CFast存储器布龙施霍芬，瑞士2021年03月04日耐久、可靠且价格诱人：Swissbit为其工业 https://news.ca168.com/202103/109631.html 2021-03-05 |
| 伍尔特电子发布无线电模块-Proteus-III和Thyone-I 安全的工业无线电应用2020年 12月 08日，瓦尔登堡，德国 一款强大的硬件，两种灵活的2.4 GHz无线电应用：伍尔特电子发布了低功 https://news.ca168.com/202012/109092.html 2020-12-08 |
| 刀光无影，测量有形——福禄克QA-ES III高频电刀分析仪 高频电刀作为一种有效的手术工具应用于临床已有近九十年的历史，蛀牙用于外科手术中的切割和止血。它是一把医生手上救死扶伤的 https://news.ca168.com/201604/54495.html 2016-04-05 |
| NEPCON展商FUJI推出新型NXT III贴片机 亚洲表面贴装技术和电子制造行业盛会-NEPCON China 2014(NEPCON中国电子展)将于2014年4月23至25日在上海世博展览馆1号馆举办，展会涵盖：SMT表面贴装技术、表面焊接技术、电子测量测试、电子制造自动化、防静电等相关技术和产品。 https://news.ca168.com/201404/29492.html 2014-04-23 |
| Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻 2013 年 11 月29 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201312/27425.html 2013-12-03 |
| Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET®Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。 https://news.ca168.com/201309/25025.html 2013-09-05 |
| Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 首款40V P沟道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET https://news.ca168.com/201307/23183.html 2013-07-15 |
| Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 MALVERN - 2013 年 7 月12 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201307/23135.html 2013-07-12 |