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群光电能采用英飞凌CoolGaN™ G5晶体管,为一线笔记本品牌打造高功率适配器
【2026年3月13日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNN
https://news.ca168.com/202603/142808.html    2026-03-27

瑞萨电子推出首款650V双向GaN开关, 标志着功率转换设计规范的重大变革
Ÿ首款具备直流阻断功能的双向GaN技术,可大幅减少功率转换拓扑结构所需的开关数量Ÿ兼容标准栅极驱动器Ÿ支持软切
https://news.ca168.com/202603/142783.html    2026-03-25

瑞萨电子推出全新GaN充电方案, 为广泛的工业及物联网电子设备带来500W强劲功率
2026 年 3 月 23 日,中国北京讯- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出基于氮化镓(GaN)的半波LLC(Ha
https://news.ca168.com/202603/142782.html    2026-03-25

新品 | 英飞凌600V CoolGaN™ Drive HB G5集成驱动器
新品 | 英飞凌600V CoolGaN Drive HB G5集成驱动器
https://news.ca168.com/202603/142760.html    2026-03-24

英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN™ Drive HB 600 V G5,进一步提升氮化镓的易用性
【2026年3月4日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY
https://news.ca168.com/202603/142468.html    2026-03-04

罗姆加强GaN功率器件供应能力
中国上海,2026年3月2日全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技
https://news.ca168.com/202603/142439.html    2026-03-02

聚焦行业前沿!宏微科技GaN器件赋能人形机器人发展
12月4日,2025行家说三代半年会碳化硅氮化镓产业高峰论坛在深圳隆重举办。江苏宏微科技股份有限公司CTO、上海宏微爱赛半导体有限
https://news.ca168.com/202512/141866.html    2025-12-31

英飞凌 XDP™ 混合反激式控制器与 CoolGaN™ 技术赋能安克业界领先的 160W Prime 充电器
【2025年11月28日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:I
https://news.ca168.com/202512/141544.html    2025-12-01

英飞凌推出首款100V车规级晶体管,推动汽车领域氮化镓(GaN)技术创新
【2025年11月5日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出其首款符合汽车电子委员会(A
https://news.ca168.com/202511/141225.html    2025-11-06

英飞凌 CoolGaN™技术助力提升环隆科技PoE以太网供电器应用的电源性能
【2025年10月10日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNN
https://news.ca168.com/202510/140751.html    2025-10-10

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