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| 第23讲：SiC MOSFET模块的损耗计算 为了安全使用SiC模块，需要计算工作条件下的功率损耗和结温，并在额定值范围内使用。MOSFET损耗计算与IGBT既有相似之处，也有不 https://news.ca168.com/202510/140866.html 2025-10-14 |
| 第22讲：SiC MOSFET模块的并联-动态均流 在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章 https://news.ca168.com/202510/140865.html 2025-10-14 |
| 第21讲：SiC MOSFET的并联-静态均流 第21讲：SiC MOSFET的并联-静态均流通过并联SiC MOSFET功率器件，可以获得更高输出电流，满足更大功率系统的要求。本章节主要介 https://news.ca168.com/202510/140815.html 2025-10-13 |
| 亚信电子推出全新AX58101 EtherCAT子设备控制器 亚信电子AX58101内建双百兆以太网PHY与双MII接口，并支持ESC端口0/2互换，为多分支EtherCAT网络拓扑设计提供更高的灵活性与成本效益。 https://news.ca168.com/202510/140728.html 2025-10-08 |
| 皮尔磁：IO-Link Safety如何兼顾安全、效率与灵活性 在当今工业领域的生产中，安全与效率不再是相互矛盾的命题，而是相辅相成的双翼。传统的安全技术虽然可靠，但在诊断能力、灵 https://news.ca168.com/202509/140681.html 2025-09-29 |
| 第20讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（2） 栅极正向电压增大，对应的漏源极通态压降变小。反之，如果栅极正向电压低于推荐值，通态压降会增加，通态损耗就会增大 https://news.ca168.com/202509/140586.html 2025-09-18 |
| 第19讲：SiC MOSFET的驱动电路设计（1） 下面以采用光耦隔离的基本栅极驱动电路（图1）为例来说明。 https://news.ca168.com/202509/140585.html 2025-09-18 |
| 第18讲：SiC MOSFET的动态特性 SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加 https://news.ca168.com/202509/140584.html 2025-09-18 |
| 第17讲：SiC MOSFET的静态特性 图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低 https://news.ca168.com/202509/140583.html 2025-09-18 |