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| 英威腾推出新一代光伏EG系列并网逆变器 近期，深圳市英威腾电气股份有限公司在已有iMars B系列产品平台的基础上，结合国内、外分布式光伏发电系统应用的需要，成功推出了iMars E系列组串型（多组串型）并网逆变器 https://news.ca168.com/201311/26868.html 2013-11-11 |
| 阿海珐为美PSEG核电公司提供停役期服务 近日，阿海珐公司与PSEG核能公司就新泽西州塞仑镇的塞仑和霍普河核电站三座反应堆的停役期服务签订长期合同。 https://news.ca168.com/201309/25141.html 2013-09-10 |
| Vishay发布用于商业应用的低外形SMPD封装的新款TMBS®整流器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16个新款45V、50V、60V、100V和120V器件，扩充其TMBS®Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10A至60A的电流等级和极低的正向压降，针对商业应用。 https://news.ca168.com/201309/25113.html 2013-09-09 |
| Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET®Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。 https://news.ca168.com/201309/25025.html 2013-09-05 |
| Vishay发布用于医疗设备中的TANTAMOUNT®固钽片式电容 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列TANTAMOUNT表面贴装固钽模压片式电容器---TM3系列，可在各种家用和医用非生命支持医疗监护和诊断设备中提供更好的性能和可靠性。 https://news.ca168.com/201308/24594.html 2013-08-22 |
| 罗格朗推出LEGRAND ELECTRICITY FOR ALL(TM)计划 全球电气与智能建筑系统专家罗格朗 (Legrand) 推出旨在持续减少能源上的不平等的计划：LEGRAND ELECTRICITY FOR ALL。 https://news.ca168.com/201308/24587.html 2013-08-22 |
| 搭载AMD® G系列T16R处理器的PC/104 CPU板卡支持完整的ISA（PC/104） 台北 -研华科技，作为领先的嵌入式平台和集成服务提供商，推出一款新的、搭载AMD® G系列T16R处理器的PC/104 CPU板卡计算机PCM-3356 。 https://news.ca168.com/201308/24234.html 2013-08-13 |
| OneGiga约17.5亿欧元最大光伏发电站被开发商搁置 被称为OneGiga项目的最大光伏发电站，据说约17.5亿欧元的成本已经被开发商Securum Equity Partners搁置，并将在英国伦敦的国际仲裁院上向塞尔维亚共和国寻求索赔1.6亿欧元。 https://news.ca168.com/201308/24220.html 2013-08-12 |
| Vishay新款TMBS®整流器减少功率损耗并提高效率 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出12款电流等级从6A至20A的新型45V、60V和100V器件，扩大其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。器件适合商业应用，具有极低的正向压降，采用表面贴装TO-252（DPAK）封装。 https://news.ca168.com/201308/23829.html 2013-08-01 |
| Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品 MALVERN - 2013 年 7 月12 日 - 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。 https://news.ca168.com/201307/23135.html 2013-07-12 |