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全球引领!卡奥斯已赋能打造16座灯塔工厂
9月16日,世界经济论坛(WEF)公布新一批灯塔工厂入选名单,12个新站点加入全球灯塔网络,有6家位于中国。其中,卡奥斯COSMOPla
https://news.ca168.com/202509/140589.html    2025-09-18

国产首个!珞石机器人进驻小米YU7汽车焊装车间
小蛮腰、长胳膊,酷炫的眼睛、灵活的双手9月10日,珞石(山东)机器人集团股份有限公司(以下简称珞石机器人),一个新面孔出现
https://news.ca168.com/202509/140588.html    2025-09-18

人形机器人公司Figure新融资超10亿美元,英伟达跟投
9月16日,美国人形机器人新锐企业Figure宣布完成超10亿美元的C轮融资,投后估值达到390亿美元,比B轮融资后的26亿美元估值大幅攀
https://news.ca168.com/202509/140587.html    2025-09-18

第20讲:SiC MOSFET的驱动电路设计(2)
栅极正向电压增大,对应的漏源极通态压降变小。反之,如果栅极正向电压低于推荐值,通态压降会增加,通态损耗就会增大
https://news.ca168.com/202509/140586.html    2025-09-18

第19讲:SiC MOSFET的驱动电路设计(1)
下面以采用光耦隔离的基本栅极驱动电路(图1)为例来说明。
https://news.ca168.com/202509/140585.html    2025-09-18

第18讲:SiC MOSFET的动态特性
SiC MOSFET的阈值电压(VGS(th))通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加
https://news.ca168.com/202509/140584.html    2025-09-18

第17讲:SiC MOSFET的静态特性
图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件,没有内建电势,所以在低电流区域,SiC MOSFET的通态压降明显低
https://news.ca168.com/202509/140583.html    2025-09-18

第16讲:SiC SBD的特性
SBD(肖特基势垒二极管)是一种利用金属和半导体接触,在接触处形成势垒,具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下,而
https://news.ca168.com/202509/140582.html    2025-09-18

ASCO EF8320G202电磁阀深度解析
EF8320G202凭借其直动式设计、快速响应、耐腐蚀性及防爆性能,成为工业自动化、能源、环保及特殊工况领域的优选方案。
https://news.ca168.com/202509/140581.html    2025-09-18

ASCO SCG551A002MS 电磁阀
SCG551A002MS凭借其双控设计、快速响应、耐腐蚀性及防爆性能,成为工业自动化、能源、环保及特殊工况领域的优选方案。
https://news.ca168.com/202509/140580.html    2025-09-18

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